焦電型レーザ検出器
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
The pyroelectric currents induced by irradiation of He-Ne laser of a wavelength of 0.6328μ are observed in terms with various ferroelectric materials. The pyroelectric current sensitivity and the ratio of signal to noise are studied in light wave region in this experiment. It is shown that the current varies linearly with light intensity. As a result, it is found that the lead solid solution of lead zirconate (PbZrO_3), lead titanate (PbTiO_3), and lead nickel-niobate [Pb(NiNb)_<1/2>O_3] are suitable material for laser detector in comparison with triglycine sulfate (TGS) and barium titanate (BaTiO_3). This is similar to the experimental result in microwave region.
- 明治大学の論文
著者
関連論文
- 20703 Cu/porous low-k構造におけるCMP中の応力解析(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
- Cu/low-k構造デバイスのCMP後洗浄プロセスの開発(機構デバイス)
- Cu CMP後のCu表面解析
- 炭素電極を使用した電解水によるトレンチポリシリコン洗浄プロセスの検討(半導体材料・デバイス)
- 表面波プラズマ源を用いた大型液晶基板のエッチング及びアッシングの高速化
- LEDアレイと光位置検出素子を用いたファジイ倒立振子制御システム
- エッチングフリーInP基板のクリーニング技術とInGaAs系MBE成長
- GaAs:YbF3及びGaAs:YbPエピタキシャル層の光学的・電気的性質
- GaAs中でのYb化合物によるELスペクトル
- 熱・光CVD装置の製作
- イオン注入によるInP光検出器の試作
- LPE炉の設計と製作
- 光集積用薄膜導波路の伝搬モ-ド
- ネオジウムガラスレ-ザ-の製作とその基本特性
- 光磁気効果の厚さ依存性
- 電波吸収体用磁性材料の温度特性
- Fe-Si系半導体の作製と評価
- レーザーに関する基礎的及び応用的研究(科学技術研究所年報第9号)
- 液晶を用いたスロットラインの波長測定と実時間表示
- 赤外検出用YIGの光磁気効果
- ZnS系螢光体における異状電界発光の研究(I)
- 反応性スパッタリング法による超LSI用窒化タンタル薄膜作製と諸性質
- 新光源用発光材料に関する研究
- 光CVD法によるSiNx/InP界面の不活性化
- 植物における生体電位とフラクタル
- 熱CVD法によるInP基板上へのSiNx膜形成
- プラズマCVD法によるInP MIS構造の製作と光導波路への応用
- 重イオン照射によるGaAs中の欠陥生成過程
- 光導波路用薄膜の損失と評価
- 焦電検出器のネオジムガラスレーザー信号応答
- He-Neレーザー用T.G.S焦電型検出器の光電特性
- 焦電型レーザ検出器