熱・光CVD装置の製作

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• Thermal and photo-CVD system with rapid heating and cooling capabilities was designed and fabricated to deposit thin SiNx films on InP wafer. This system was made up of the reactor for CVD, the thermocontroller, the exhaust gas purifier tank, the housing case of organic gas cylinders, the operating board of the valves and gas pipelines. C-V characteristics of the MIS structure devices were measured to investigate the interface trap properties. From the results, it became clear that the system was suitable for preparing the insulator for MIS structure.

• 明治大学の論文

著者

• 植草 新一郎

  明治大学理工学部電気電子工学科

• 植草 新一郎

  School of Science and Technology, Meiji University

• 水野 善允

  School of Science and Technology, Meiji University

• 村松 優

  School of Science and Technology, Meiji University

• 植草 新一郎

  明治大 理工

• 水野 善允

  School Of Science And Technology Meiji University

関連論文

• 20703 Cu/porous low-k構造におけるCMP中の応力解析(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
• Cu/low-k構造デバイスのCMP後洗浄プロセスの開発(機構デバイス)
• Cu CMP後のCu表面解析
• 炭素電極を使用した電解水によるトレンチポリシリコン洗浄プロセスの検討(半導体材料・デバイス)
• 表面波プラズマ源を用いた大型液晶基板のエッチング及びアッシングの高速化
• LEDアレイと光位置検出素子を用いたファジイ倒立振子制御システム
• エッチングフリーInP基板のクリーニング技術とInGaAs系MBE成長
• GaAs:YbF3及びGaAs:YbPエピタキシャル層の光学的・電気的性質
• GaAs中でのYb化合物によるELスペクトル
• 熱・光CVD装置の製作
• イオン注入によるInP光検出器の試作
• LPE炉の設計と製作
• 光集積用薄膜導波路の伝搬モ-ド
• ネオジウムガラスレ-ザ-の製作とその基本特性
• 光磁気効果の厚さ依存性
• 電波吸収体用磁性材料の温度特性
• Fe-Si系半導体の作製と評価
• 液晶を用いたスロットラインの波長測定と実時間表示
• 赤外検出用YIGの光磁気効果
• 反応性スパッタリング法による超LSI用窒化タンタル薄膜作製と諸性質
• 新光源用発光材料に関する研究
• 光CVD法によるSiNx/InP界面の不活性化
• 植物における生体電位とフラクタル
• 熱CVD法によるInP基板上へのSiNx膜形成
• プラズマCVD法によるInP MIS構造の製作と光導波路への応用
• 重イオン照射によるGaAs中の欠陥生成過程
• 光導波路用薄膜の損失と評価
• 焦電検出器のネオジムガラスレーザー信号応答
• He-Neレーザー用T.G.S焦電型検出器の光電特性
• 焦電型レーザ検出器
• 化合物半導体MIS構造の特性評価および流体力学的薄膜堆積モデルに関する研究

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク