植草 新一郎 | 明治大 理工

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概要

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関連著者

• 植草 新一郎

  明治大 理工

• 植草 新一郎

  明治大学理工学部電気電子工学科

• 植草 新一郎

  明治大学理工学部

• 植草 新一郎

  明治大学

• 植草 新一郎

  School of Science and Technology, Meiji University

• 水野 善允

  School of Science and Technology, Meiji University

• 水野 善允

  School Of Science And Technology Meiji University

• 三浦 登

  明治大学理工学部電子通信工学科

• 横山 勲

  日本工業大学

• 伊藤 日出男

  電子技術総合研究所

• 山田 達也

  明治大学

• 向井 誠二

  電子技術総合研究所

• 杉山 佳延

  電子技術総合研究所

• 中村 陽登

  明治大学

• 佐野 弘治

  明治大学

• 村松 優

  School of Science and Technology, Meiji University

• 向井 誠二

  電子技術総合研究所光技術部

• 近田 裕幸

  School of Science and Technology, Meiji University

• 那須 練三

  School of Science and Technology, Meiji University

• 澤井 卓哉

  明治大学大学院工学研究科

• 穂積 雄二

  明治大学

• 那須 練三

  School Of Science And Technology Meiji University

• 近田 裕幸

  School Of Science And Technology Meiji University

• 澤井 卓哉

  明治大学大学院工学研究科:(現)三菱電機(株)

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著作論文

• LEDアレイと光位置検出素子を用いたファジイ倒立振子制御システム
• エッチングフリーInP基板のクリーニング技術とInGaAs系MBE成長
• GaAs:YbF3及びGaAs:YbPエピタキシャル層の光学的・電気的性質
• GaAs中でのYb化合物によるELスペクトル
• 熱・光CVD装置の製作
• イオン注入によるInP光検出器の試作
• LPE炉の設計と製作
• 光集積用薄膜導波路の伝搬モ-ド
• ネオジウムガラスレ-ザ-の製作とその基本特性
• 光磁気効果の厚さ依存性
• 電波吸収体用磁性材料の温度特性
• 液晶を用いたスロットラインの波長測定と実時間表示
• 赤外検出用YIGの光磁気効果
• 反応性スパッタリング法による超LSI用窒化タンタル薄膜作製と諸性質
• 新光源用発光材料に関する研究
• 光CVD法によるSiNx/InP界面の不活性化
• 植物における生体電位とフラクタル
• 熱CVD法によるInP基板上へのSiNx膜形成
• プラズマCVD法によるInP MIS構造の製作と光導波路への応用
• 重イオン照射によるGaAs中の欠陥生成過程
• 光導波路用薄膜の損失と評価
• 焦電検出器のネオジムガラスレーザー信号応答
• He-Neレーザー用T.G.S焦電型検出器の光電特性
• 焦電型レーザ検出器

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