プラズマCVD法によるInP MIS構造の製作と光導波路への応用
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概要
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Fabrication processes to establish an excellent MIS-structure on bulk n-InP by plasma-CVD are reported. The methods of polishing, washing and scribing of InP wafers, removing surface native oxide and depositing silicon nitride in the fabrication processes were improved by the study using the capacitance-voltage method. Light modulation for waveguides made by InP MIS-structure was also measured. The sensitivity of output light intensity observed for a waveguide of InP MIS-structure was almost twice as large as that observed for a waveguide made by p-n junction structure.
- 明治大学の論文
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