表面波プラズマ源を用いた大型液晶基板のエッチング及びアッシングの高速化

概要

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TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)の製造プロセスでは,生産する液晶パネルの大面積化と生産コストの低減が求められている.そこで,大面積基板の加工速度の向上による装置台数削減のために,スロットアンテナを用いた大面積で高密度(3.58×10^11cm^-3)な表面波プラズマ源を開発した.このプラズマ源を用いることでエッチングの高速化を図るとともに,従来薬液を用いていたフォトレジストの剥(はく)離工程を削減し,エッチング後に連続してフォトレジストを剥離(アッシング)できるプロセスを実現した.400×500mm^2サイズのガラス基板上のPoly-Si膜に対してエッチングレートは58nm/min,均一性±6.8%である.また,エッチング後に同一チャンバ内でアッシングを行いアッシングレート1430nm/min,均一性±9.3%を得た.更に,下地膜のSiO_2やPoly-Siに対する選択比は140以上であり,従来の薬液を用いたレジスト剥離プロセス以上の性能が得られた.以上,従来方式の2倍のエッチングレートで高均一なエッチングプロセスを実現するとともに実用レベルのアッシングプロセスを初めて確立し,剥離装置及びプロセスの削減とエッチング・アッシングの一貫プロセスを実現した。
社団法人電子情報通信学会の論文
2002-07-01