シリコン表面への低エネルギーボロン注入プロセスに関する計算化学的検討(<特集>プロセスクリーン化と新プロセス技術)
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概要
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近年のデバイスの微細化に伴い、拓極浅接合の形成がキープロセスの1つとなっている。これを実現する手法として超低エネルギーイオン注入プロセスが有力な候補となっており、その原子・電子レベルでの理解が不可欠なものとなっている。しかし従来の計算手法ではこのような現象を電子状態と共に、かつ統計的に検討することは困難であり、本研究では、研究室独自の高速化量子分子動力学プログラムを用いてそのダイナミクスを量子化学的に検討した。
- 2003-10-14
著者
-
遠藤 明
東北大学大学院工学研究科
-
久保 百司
東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター
-
宮本 明
東北大学大学院 工学研究科
-
篠田 克己
東北大学大学院工学研究科
-
今村 詮
広島国際学院大学工学部
-
今村 詮
広島国際学院大学
-
加納 正明
(株)東芝 生産技術センター
-
久保 百司
東北大学大学院工学研究科
-
薮原 秀彦
(株)東芝生産技術センター
-
藪原 秀彦
(株)東芝 生産技術センター
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