自動化超高速化量子分子動力学法によるシリコン表面酸窒化シミュレーション(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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シリコン表面における酸窒化膜の形成メカニズムの解明とくにその初期過程におけるNO分子やO_2分子とシリコン表面の相互作用の量子論に立脚したメカニズム解明は,半導体デバイスにおけるhigh-k膜形成プロセスにおける基礎的な知見として極めて有用である.本研究では当研究室で開発した自動化超高速化量子分子動力学法プログラムを駆使して,量子化学計算に立脚したシリコン清浄表面の酸化反応プロセスおよび酸窒化反応プロセスのダイナミクスを解析したのでその一端を報告する.
- 2009-10-22
著者
-
鈴木 愛
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
遠藤 明
東北大学大学院工学研究科
-
畠山 望
東北大学大学院工学研究科
-
坪井 秀行
東北大学大学院工学研究科応用化学専攻
-
高羽 洋充
東北大学大学院工学研究科化学工学専攻
-
久保 百司
東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター
-
宮本 明
東北大学大学院 工学研究科
-
久保 百司
東北大学大学院工学研究科
-
高羽 洋充
東北大学大学院工学研究科
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坪井 秀行
東北大学大学院工学研究科
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鈴木 愛
東北大学未来科学共同研究センター
-
宮本 明
東北大学大学院工学研究科:東北大学未来科学技術共同研究センター
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