Tight-binding分子動力学法を用いたシリコンプラズマ酸化過程の検討

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概要

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近年、シリコンデバイスの微細化に伴い、ゲート酸化膜の膜厚は数ナノメータになっている。そこでSiO_2/Si界面の平坦性や遷移領域での結合状態がデバイス特性に与える影響が無視できない。近年、Si、SiO_2と金属の熱拡散係数の相違に起因する応力を少なくするためにプロセス全体の低温化が考慮されつつある。プラズマ酸化を用いると従来の熱酸化に比べて低温で、半導体表面に絶縁膜を形成する事ができる。一方、計算化学を用いると、実験では得られない有用な情報を得る事が可能である。本研究では、Tight-binding分子動力学法を用いてプラズマ酸化過程のシミュレーションを行なった。基板に酸素種を照射し形成されたSiO_2の構造を検討した。
社団法人電子情報通信学会の論文
1999-09-28

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