高速化量子分子動力学法によるSiGeのバンド構造解析
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概要
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次世代の光通信,ワイヤレス通信いずれの技術においても更なる高速化と低消費電力化が必要とされている.通信速度は急激に増加しており,材料の物理的性質からSiやGaAsでは対応できなくなってきている.一方,最近多くの研究が行なわれている新材料にSiGeやInPがあり,次世代の半導体デバイス材料として期待されている.そこで本研究では,当研究室で独自に開発した高速化量子分子動力学法を用いて様々なSiGe組成に関してバンド構造計算を行なった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-10-22
著者
-
三浦 隆治
東北大
-
遠藤 明
東北大学大学院工学研究科
-
久保 百司
東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター
-
宮本 明
東北大学大学院 工学研究科
-
磯田 直征
東北大学大学院工学研究科
-
篠田 克己
東北大学大学院工学研究科
-
横須賀 俊之
東北大学大学院工学研究科
-
今村 詮
広島国際学院大学工学部
-
今村 詮
広島国際学院大学
-
加納 正明
(株)東芝 生産技術センター
-
久保 百司
東北大学大学院工学研究科
-
藪原 秀彦
(株)東芝 生産技術センター
-
三浦 隆治
東北大学大学院工学研究科応用化学専攻
-
草谷 友規
東北大学大学院工学研究科材料化学専攻
-
三浦 隆治
東北大学大学院工学研究科化学工学専攻
-
草谷 友規
東北大学大学院工学研究科
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