シリコン表面の高速化量子分子動力学法による大規模電子状態計算(<特集>プロセスクリーン化と新プロセス技術)
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概要
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次世代半導体技術確立のため、半導体素子作製における個々の要素技術に対する電子・原子レベルでの理解と制御が重要となってきている。本研究では当研究室で独自に開発してきた高速化量子分子動力学プログラムColorsを用いて、半導体材料の中核であるシリコン表面に関し大規模な電子状態計算を行い、モデルサイズを系統的に変化させていった場合の電子状態解析を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-10-14
著者
-
遠藤 明
東北大学大学院工学研究科
-
久保 百司
東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター
-
宮本 明
東北大学大学院 工学研究科
-
磯田 直征
東北大学大学院工学研究科
-
佐々木 由美子
東北大学大学院工学研究科
-
菅原 健太郎
上智大学理工学部
-
遠藤 梨紗
東北大学大学院工学研究科
-
内田 晶子
東北大学大学院工学研究科
-
千葉 景子
東北大学大学院工学研究科
-
菅原 健太郎
東北大学大学院工学研究科
-
千田 朝子
東北大学大学院工学研究科
-
松浦 純
東北大学大学院工学研究科
-
篠田 克己
東北大学大学院工学研究科
-
伊賀 英樹
東北大学大学院工学研究科
-
横須賀 俊之
東北大学大学院工学研究科
-
今村 詮
広島国際学院大学工学部
-
今村 詮
広島国際学院大学
-
久保 百司
東北大学大学院工学研究科
-
千葉 景子
東北大学大学院工学研究科応用化学専攻
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