シリコン酸化膜における応力特性の計算化学的検討
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概要
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シリコンデバイスの微細化、高集積化に伴い、ゲート絶縁膜の薄膜化が進行し高品質な極薄絶縁膜の必要性が課せられている。従来の高温熱酸化では、ウエハーの歪み、熱応力の生成、不純物の再拡散などが問題になってきている。そこで活性な酸化種を用いた低温プラズマ酸化が注目されている。一般的にシリコン表面の酸化による真性応力は、Si-Si格子間に酸素が入り込む事による圧縮応力が考えられる。近年、酸化層薄膜の微小表面応力の測定により、プラスバイアスの条件下で酸化の極初期には引っ張り応力と圧縮応力が繰り返し観測された。本研究では、酸化膜成長過程の応力変化を解明するために、分子力学(MM)計算を行なった。
- 1999-09-28
著者
-
遠藤 明
東北大学大学院工学研究科
-
久保 百司
東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター
-
宮本 明
東北大学大学院 工学研究科
-
高見 誠一
東北大学大学院工学研究科
-
久保 百司
東北大学大学院工学研究科
-
寺石 和夫
東北大学大学院工学研究科材料化学
-
黒川 仁
東北大学大学院工学研究科材料化学専攻
-
山田 有場
東北大学大学院工学研究科
-
黒川 仁
東北大学大学院工学研究科
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