半導体材料の電気伝導度に関する計算化学的検討
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概要
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半導体デバイスにおいて層間配線のバリアとして用いられているTiN中にTiOやTiOFなどの不純物膜が存在することで膜の抵抗等が変化することが報告されている.しかし,TiN膜の抵抗変化の割合,膜特性の変化などに関してはほとんど明らかにされていない.更なる歩留まり向上のためには,これらの現象に関する詳細な知見を得ることが重要と考えられる.そこで本研究では,当研究室で新たに開発した高速化量子分子動力学プログラム"colors"を用いて,TiN,TiNO,TiOのバンド構造を計算し,検討を行なった.
- 2002-10-22
著者
-
三浦 隆治
東北大
-
遠藤 明
東北大学大学院工学研究科
-
久保 百司
東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター
-
宮本 明
東北大学大学院 工学研究科
-
磯田 直征
東北大学大学院工学研究科
-
篠田 克己
東北大学大学院工学研究科
-
横須賀 俊之
東北大学大学院工学研究科
-
今村 詮
広島国際学院大学工学部
-
今村 詮
広島国際学院大学
-
久保 百司
東北大学大学院工学研究科
-
藪原 秀彦
(株)東芝 生産技術センター
-
三浦 隆治
東北大学大学院工学研究科応用化学専攻
-
牧野 伸顕
(株)東芝生産技術研究所
-
草谷 友規
東北大学大学院工学研究科材料化学専攻
-
牧野 伸顕
(株)東芝生産技術センター
-
三浦 隆治
東北大学大学院工学研究科化学工学専攻
-
草谷 友規
東北大学大学院工学研究科
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