NF_3とSi基板の相互作用:密度汎関数法による検討
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概要
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Si基板のNF_3によるエッチングプロセスを理解する第一歩として、密度汎関数に基づく量子化学計算を用いNF_3分子とSi表面との相互作用について検討を行った。NF_x(x=1, 2)種やF原子のSi表面への吸着状態、およびF原子がSiのinterstitial siteに取り込まれた状態等を計算したところ、基底状態においてF原子はSiのinterstitial siteには安定に存在できないことが分かった。F原子のチャージが比較的ニュートラルに近い状態であることが実験により示唆されているが、本研究の結果からSi-N-F結合におけるFの負電荷はかなり小さくなることが分かり、実験結果に対応するものと思われる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-08-20
著者
-
遠藤 明
東北大学大学院工学研究科
-
久保 百司
東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター
-
宮本 明
東北大学大学院 工学研究科
-
北島 正弘
金属材料技術研究所
-
久保 百司
東北大学大学院工学研究科
-
寺石 和夫
東北大学大学院工学研究科材料化学
-
Little Thomas
University Of Washington
-
山田 有場
東北大学大学院工学研究科
-
Ammal S.Salai
東北大学大学院工学研究科
-
Ohuchi Fumio
University of Washington
-
S.Sslai.C. Ammal
東北大学大学院工学研究科
-
Ammal S.
東北大学大学院工学研究科材料化学専攻
-
北島 正弘
物材機構:筑波大
-
北島 正弘
物質・材料研究機構物性解析研究グループ
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