北島 正弘 | 物質・材料研究機構物性解析研究グループ
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概要
関連著者
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北島 正弘
金属材料技術研究所
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北島 正弘
物材機構:筑波大
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北島 正弘
物質・材料研究機構物性解析研究グループ
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北島 正弘
物質・材料研究機構
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板倉 明子
物質・材料研究機構
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成島 哲也
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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板倉 明子
学習院大学理学部自然科学研究科
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北島 正弘
金材技研
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板倉 明子
金属材料技術研究所
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河辺 隆也
筑波大学大学院物理学研究科
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山田 有場
東北大学大学院工学研究科
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河邊 隆也
筑波大学物理学系
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板倉 明子
金材技研
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成島 哲也
金材技研
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寺石 和夫
東北大学大学院工学研究科材料化学
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河辺 隆也
筑波大 物理学系
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河辺 隆也
筑波大学物理学系 国際連合大学高等研究所兼任
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遠藤 明
東北大学大学院工学研究科
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久保 百司
東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター
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宮本 明
東北大学大学院 工学研究科
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丑田 公規
理研
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成島 哲也
金属材料技術研究所
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石岡 邦江
物材機構
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久保 百司
東北大学大学院工学研究科
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石岡 邦江
金材技研
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Ammal S.Salai
東北大学大学院工学研究科
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S.Sslai.C. Ammal
東北大学大学院工学研究科
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石岡 邦江
物質・材料研究機構 材料研究所
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Ammal S.
東北大学大学院工学研究科材料化学専攻
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西岡 泰城
テキサスインスツルメント筑波研究開発センター
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清水 達夫
テキサスインスツルメント筑波研究開発センター
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長谷 宗明
金材研
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石岡 邦江
金材研
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成島 哲也
筑波大学物理学科
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河邊 隆也
筑波大物理
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長谷 宗明
筑波大数物:jstさきがけ
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中村 一隆
金材研
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成島 哲也
筑波大学物理学研究科
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高羽 洋充
東北大学大学院工学研究科化学工学専攻
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菱田 俊一
物材機構
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菱田 俊一
東京大学工学部工業化学科 : (現)東京大学理学部化学科
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菱田 俊一
物質・材料研究機構 物質研究所
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村上 浩一
筑波大学 数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻
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高見 誠一
東北大学大学院工学研究科
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宮本 明
東北大学工学研究科
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菱田 俊一
無機材研
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遠藤 明
東北大院工
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久保 百司
東北大院工
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長谷 宗明
物材機構
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北島 正弘
金材研
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村上 浩一
筑波大数理物質(電子・物理)
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Little Thomas
University Of Washington
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宮本 明
東北大学工学部
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藤村 修三
一橋大イノベーション研
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村上 浩一
筑波大物質工
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杉左近 潔
東北大学大学院工学研究科
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倉品 貴之
LSI Logic Japan Semiconductor Inc.
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寺石 和夫
東北大学工学研究科
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山田 有場
東北大学工学研究科
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Ohuchi Fumio
University of Washington
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寺石 和夫
東北大院工
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山田 有場
東北大院工
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軍司 勲男
東北大院工
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Ammal S.S.C.
東北大院工
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宮本 明
東北大院工
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河辺 隆也
筑波大院物理
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BERGER Ruediger
IBM分析研究所
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GERBER Christoph
IBMチューリッヒ研究所
-
GIMZEWSKI James
IBMチューリッヒ研究所
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深田 直樹
東北大金研:(現)筑波大物理工学系
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深田 直樹
物質材料研究機構
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中村 一隆
金材技研
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石岡 邦江
金属材料技術研究所第2研究グループ
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北島 政弘
金材研
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深田 直樹
筑波大物質工学系
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藤村 修三
富士通(株)
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菱田 俊一
科学技術庁無機材質研究所
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藤村 修三
富士通株式会社
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藤村 修三
富士通基礎プロセス開発部
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藤村 修三
東工大
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軍司 勲男
東北大学大学院工学研究科
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藤村 修三
東京工業大学
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高羽 洋充
東北大学大学院工学研究科
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倉品 貴之
LSIロジックジャパンセミコンダクター (株)
-
深田 直樹
物質・材料研究機構
著作論文
- 水素化が及ぼすシリコン表面の偏光解析パラメータの変化
- 28p-YP-4 シリコン酸化表面の水素化に伴う偏光解析パラメータの変化
- シリコンプラズマ酸化過程の Tight-binding 分子動力学シミュレーション
- 固体中の水素のラマン分光
- シリコン酸化膜成長過程の表面応力変動
- NF_3とSi基板の相互作用:密度汎関数法による検討
- Tight-binding分子動力学法を用いたSi表面の酸化過程におけるSiOの脱離挙動
- シリコン表面の酸化反応ポテンシャル曲面の計算
- プラズマ酸窒化中のシリコン表面応力変動
- 電子照射によるシリコンの表面応力の緩和
- クリプトン酸素混合プラズマによるシリコン酸化中の表面応力変動
- 30aXE-8 欠陥による表面応力の発生とその電子誘起緩和
- ドデカンチオールの脱離に伴う微少応力の変動
- プラズマ酸化過程におけるSiの表面応力の研究
- 26p-YR-16 バイアスを印可したプラズマ酸化過程におけるSi表面応力の研究II
- 26p-YR-15 バイアスを印可したプラズマ酸化過程におけるSi表面応力の研究I
- コヒーレントフォノン分光によるイオン照射材料研究
- 24pK-5 コヒーレントフォノン分光の格子欠陥分布測定への応用
- 25a-YN-11 イオン照射ビスマスのフォノンダイナミクス
- 1p-T-2 結晶シリコン中の水素分子の検出とその挙動