北島 正弘 | 金材技研

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概要

• 同名の論文著者
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関連著者

• 北島 正弘

  金材技研

• 北島 正弘

  金属材料技術研究所

• 北島 正弘

  物材機構:筑波大

• 河辺 隆也

  筑波大学大学院物理学研究科

• 河邊 隆也

  筑波大学物理学系

• 河辺 隆也

  筑波大学物理学系 国際連合大学高等研究所兼任

• 河辺 隆也

  筑波大 物理学系

• 北島 正弘

  物質・材料研究機構物性解析研究グループ

• 河辺 隆也

  筑波大物理

• 北島 正弘

  物質・材料研究機構

• 中村 一隆

  金材研

• 中村 一隆

  金材技研

• 石岡 邦江

  物材機構

• 石岡 邦江

  金材技研

• 石岡 邦江

  物質・材料研究機構 材料研究所

• 板倉 明子

  物質・材料研究機構

• 成島 哲也

  物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所

• 板倉 明子

  金材技研

• 成島 哲也

  金材技研

• 板倉 明子

  学習院大学理学部自然科学研究科

• 丑田 公規

  理研

• 上岡 功

  金材技研

• 河辺 隆也

  筑波大物埋

• 黒木 博

  金材技研:筑波大物

• 上岡 功

  金材研:筑波大物理

• 菱田 俊一

  物材機構

• 菱田 俊一

  東京大学工学部工業化学科 : (現)東京大学理学部化学科

• 菱田 俊一

  物質・材料研究機構 物質研究所

• 菱田 俊一

  無機材研

• 長谷 宗明

  物材機構

• 河邊 隆也

  筑波大物理

• 長谷 宗明

  筑波大数物:jstさきがけ

• 長谷 宗明

  金材技研

• 黒木 博

  筑波大物

• 菱田 俊一

  科学技術庁無機材質研究所

• 福谷 博仁

  筑波大物理

• 村上 浩一

  筑波大学 数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻

• 久保 敦

  科技機構さきがけ:ピッツバーグ大物理:筑波大物理

• 西岡 泰城

  テキサスインスツルメント筑波研究開発センター

• 清水 達夫

  テキサスインスツルメント筑波研究開発センター

• 遠藤 明

  東北大院工

• 久保 百司

  東北大院工

• 久保 敦

  筑波大物理

• 石井 康博

  筑波大物理

• 寺石 和夫

  東北大学大学院工学研究科材料化学

• 村上 浩一

  筑波大数理物質(電子・物理)

• 藤村 修三

  一橋大イノベーション研

• 村上 浩一

  筑波大物質工

• 山田 有場

  東北大学大学院工学研究科

• Ammal S.Salai

  東北大学大学院工学研究科

• S.Sslai.C. Ammal

  東北大学大学院工学研究科

• 寺石 和夫

  東北大院工

• 山田 有場

  東北大院工

• 軍司 勲男

  東北大院工

• Ammal S.S.C.

  東北大院工

• 宮本 明

  東北大院工

• 河辺 隆也

  筑波大院物理

• 深田 直樹

  東北大金研:(現)筑波大物理工学系

• 深田 直樹

  物質材料研究機構

• 深田 直樹

  筑波大物質工学系

• 藤村 修三

  富士通(株)

• Ammal S.

  東北大学大学院工学研究科材料化学専攻

• 藤村 修三

  富士通株式会社

• 藤村 修三

  富士通基礎プロセス開発部

• 黒木 博

  金材技研

• 浅利 栄治

  金材技研

• 藤村 修三

  東工大

• 軍司 勲男

  東北大学大学院工学研究科

• 石井 康博

  筑波大物理:物・材機構

• 藤村 修三

  東京工業大学

• 深田 直樹

  物質・材料研究機構

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著作論文

• 28p-YP-4 シリコン酸化表面の水素化に伴う偏光解析パラメータの変化
• 29pPSA-37 固体表面上の散乱水素分子の内部状態選別並進運動エネルギー測定
• シリコン表面の酸化反応ポテンシャル曲面の計算
• 30aXE-8 欠陥による表面応力の発生とその電子誘起緩和
• 26p-YR-16 バイアスを印可したプラズマ酸化過程におけるSi表面応力の研究II
• 26p-YR-15 バイアスを印可したプラズマ酸化過程におけるSi表面応力の研究I
• 複合環境材料の表面反応・欠陥成長課程の実時間解析と表面物性評価 (特別企画 原子力基盤クロスオ-バ-研究の現状と今後の展開(1)) -- (原子力材料分野について(複合環境用マルチコンポジットマテリアルの開発))
• 28pYA-2 n-GaAsにおけるコヒーレントフォノン生成及び緩和への格子欠陥の影響
• 26pYB-1 イオン照射Biにおけるコヒーレントフォノンの照射量依存性
• 25a-YN-11 イオン照射ビスマスのフォノンダイナミクス
• 1p-T-2 結晶シリコン中の水素分子の検出とその挙動
• 29p-PSB-17 高時間分解偏光解析によるSi酸化超薄膜成長の実時間観察
• 29a-T-1 シリコンのプラズマ酸化と表面電位の変動
• 2p-PSA-55 シリコンのプラズマ酸化の試料バイアス効果
• 29p-WC-5 生成脱離SiO分子の多光子イオン化検出によるSi表面酸化の研究
• 13a-PS-9 高速偏光解析によるSi表面酸化超薄膜成長速度の基板結晶方向依存
• 13a-DK-2 希ガスイオン照射によるグラファイト結晶乱れ速度のイオン質量依存性

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