シリコン表面の酸化反応ポテンシャル曲面の計算
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概要
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薄膜領域における酸化膜成長モデルを構築するために, シリコン表面の酸化初期段階における反応のポテンシャルエネルギー曲面(PES)を求めた.特に, プロセスの上でも重要なパラメタである温度の効果を考慮に入れるため, アンブレラサンプリング法を用い, (1)完全水素終端表面の酸化, (2)水素脱離とそれに続く水素欠損サイトの酸化, (3)既に部分的に酸化されたサイトの酸化, のそれぞれについてPESを計算した.水素終端表面では酸化と水素脱離の活性化エネルギーがほぼ等しく, 両者が競争的に起こると考えられた.一方部分的に酸化されたサイトの酸化における活性化エネルギーはそれより低く, 前酸化等により, 水素脱離に比べ酸化が優先されるようになり, 低温かつ原子レベルで制御されたプロセスが実現される可能性が示された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-08-20
著者
-
北島 正弘
金属材料技術研究所
-
北島 正弘
金材技研
-
遠藤 明
東北大院工
-
久保 百司
東北大院工
-
寺石 和夫
東北大学大学院工学研究科材料化学
-
山田 有場
東北大学大学院工学研究科
-
Ammal S.Salai
東北大学大学院工学研究科
-
S.Sslai.C. Ammal
東北大学大学院工学研究科
-
寺石 和夫
東北大院工
-
山田 有場
東北大院工
-
軍司 勲男
東北大院工
-
Ammal S.S.C.
東北大院工
-
宮本 明
東北大院工
-
Ammal S.
東北大学大学院工学研究科材料化学専攻
-
北島 正弘
物材機構:筑波大
-
北島 正弘
物質・材料研究機構物性解析研究グループ
-
軍司 勲男
東北大学大学院工学研究科
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