パルス高電圧に伴うグロー放電を利用したプラズマイオン注入による炭素膜の作製
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
水素化が及ぼすシリコン表面の偏光解析パラメータの変化
-
28p-YP-4 シリコン酸化表面の水素化に伴う偏光解析パラメータの変化
-
20aYG-6 グラファイトにおける非断熱的な電子格子デカップリング(20aYG 超高速現象,領域5(光物性))
-
30aRF-7 グラファイトのコヒーレント光学フォノン(領域5,領域1合同招待講演,30aRF 超高速現象・非線形光学,領域5(光物性))
-
19pPSB-52 Si(100)表面における水素の反応性散乱ダイナミクス
-
29pPSA-37 固体表面上の散乱水素分子の内部状態選別並進運動エネルギー測定
-
29aYE-10 高密度光励起下におけるグラファイトの格子ダイナミクスの研究
-
28pYA-1 グラファイトのキャリアおよびフォノンのダイナミクスへの格子欠陥の影響
-
ブリスタリングによる応力変調を利用した局所シリコン酸化の観察
-
シリコンプラズマ酸化過程の Tight-binding 分子動力学シミュレーション
-
固体中の水素のラマン分光
-
シリコン酸化膜成長過程の表面応力変動
-
NF_3とSi基板の相互作用:密度汎関数法による検討
-
Tight-binding分子動力学法を用いたSi表面の酸化過程におけるSiOの脱離挙動
-
シリコン表面の酸化反応ポテンシャル曲面の計算
-
プラズマ酸窒化中のシリコン表面応力変動
-
電子照射によるシリコンの表面応力の緩和
-
クリプトン酸素混合プラズマによるシリコン酸化中の表面応力変動
-
30aXE-8 欠陥による表面応力の発生とその電子誘起緩和
-
ドデカンチオールの脱離に伴う微少応力の変動
-
プラズマ酸化過程におけるSiの表面応力の研究
-
26p-YR-16 バイアスを印可したプラズマ酸化過程におけるSi表面応力の研究II
-
26p-YR-15 バイアスを印可したプラズマ酸化過程におけるSi表面応力の研究I
-
19pWH-6 Ultrafast Electron/Phonon Dynamics in Carbon Materials(Atom Dynamics and Formation of Nano-objects by Electronic Excitations)
-
19aZA-1 ダイアモンドのコヒーレント光学フォノン(超高速現象・非線形光学,領域5,光物性)
-
26aWB-8 ビスマスのコヒーレントA_およびE_gフォノンの温度依存性(26aWB 超高速現象,領域5(光物性))
-
フェムト秒レーザーによるコヒーレントフォノダイナミクス
-
19pYN-4 「シリコンの照射欠陥の低エネルギー電子による回復」(領域10,領域4合同シンポジウム : 電子励起と不純物ダイナミックスのコントロール,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
21aYD-6 金属Znにおけるコヒーレント光学フォノンの温度依存性(超高速現象・格子振動・緩和励起子,領域5(光物性))
-
シリコンにおけるファノ干渉の実時間観測(最近の研究から)
-
低エネルギー電子照射による結晶欠陥の原子レベル回復現象
-
20pYD-9 Si(001) 表面の内部応力変化と酸素解離吸着のダイナミクス
-
半金属・半導体のコヒーレントフォノン : 緩和ダイナミクスへのイオン照射誘起欠陥の影響
-
28pYA-2 n-GaAsにおけるコヒーレントフォノン生成及び緩和への格子欠陥の影響
-
コヒーレントフォノン分光によるイオン照射材料研究
-
23aM-5 C_6F_6/Cu(111)の非占有電子状態のフェムト秒ダイナミクス
-
27pXB-8 n型およびp型ドープGaNのコヒーレントフォノン(超高速現象,領域5,光物性)
-
パルス高電圧に伴うグロー放電を利用したプラズマイオン注入による炭素膜の作製
-
24pK-5 コヒーレントフォノン分光の格子欠陥分布測定への応用
-
26pYB-1 イオン照射Biにおけるコヒーレントフォノンの照射量依存性
-
25a-YN-11 イオン照射ビスマスのフォノンダイナミクス
-
1p-T-2 結晶シリコン中の水素分子の検出とその挙動
-
水素原子処理シリコン結晶中の水素分子
-
30p-PSB-63 KBrマトリックス中のYBaCuO微粒子の低磁場マイクロ波吸収
-
Eley-Rideal反応の2次元トラジェクトリー計算
-
高温Ge(100)表面のO_2分子線散乱による反応生成物GeOの共鳴多光子イオン化
-
Si表面でのO_2分子線散乱で生成脱離するSiOの振動回転分布
-
シリコンのプラズマ酸化における酸素イオンの効果
-
29a-T-1 シリコンのプラズマ酸化と表面電位の変動
-
グラファイトの結晶格子乱れとその熱緩和過程
-
偏光解析(小特集用語解説)
-
企画委員会活動と今後
-
18aWD-5 オゾンによるSi(111)表面のナノスケールサイト選択酸化
-
28aHC-2 E_0ギャップ近傍で励起したガリウム砒素のコヒーレントフォノンの光検出メカニズム(28aHC 超高速現象,領域5(光物性))
-
21pRB-7 ガリウム砒素のコヒーレントフォノンの光検出メカニズムII(21pRB 超高速現象,領域5(光物性))
-
-
24pPSA-36 半金属Bi超薄膜における表面金属状態の時間領域THz分光(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
-
19aHB-4 アナターゼおよびルチルTiO_2単結晶のコヒーレントフォノン生成機構(19aHB 超高速現象,領域5(光物性))
-
27aDB-10 GaPのコヒーレントフォノン・プラズモン結合モード(超高速現象(非線形光学・コヒーレントフォノン),領域5(光物性))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク