27aDB-10 GaPのコヒーレントフォノン・プラズモン結合モード(超高速現象(非線形光学・コヒーレントフォノン),領域5(光物性))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 2013-08-26
著者
-
石岡 邦江
物材機構
-
Beyer A.
マールブルク大
-
Hofer U.
マールブルク大
-
Stolz W.
マールブルク大
-
Klass K.
マールブルク大
-
Volz K.
マールブルク大
-
Petek H.
ピッツバーグ大
関連論文
- 20aYG-6 グラファイトにおける非断熱的な電子格子デカップリング(20aYG 超高速現象,領域5(光物性))
- 30aRF-7 グラファイトのコヒーレント光学フォノン(領域5,領域1合同招待講演,30aRF 超高速現象・非線形光学,領域5(光物性))
- 19pPSB-52 Si(100)表面における水素の反応性散乱ダイナミクス
- 29pPSA-37 固体表面上の散乱水素分子の内部状態選別並進運動エネルギー測定
- 29aYE-10 高密度光励起下におけるグラファイトの格子ダイナミクスの研究
- 28pYA-1 グラファイトのキャリアおよびフォノンのダイナミクスへの格子欠陥の影響
- 19pWH-6 Ultrafast Electron/Phonon Dynamics in Carbon Materials(Atom Dynamics and Formation of Nano-objects by Electronic Excitations)
- 19aZA-1 ダイアモンドのコヒーレント光学フォノン(超高速現象・非線形光学,領域5,光物性)
- 26aWB-8 ビスマスのコヒーレントA_およびE_gフォノンの温度依存性(26aWB 超高速現象,領域5(光物性))
- 21aYD-6 金属Znにおけるコヒーレント光学フォノンの温度依存性(超高速現象・格子振動・緩和励起子,領域5(光物性))
- 半金属・半導体のコヒーレントフォノン : 緩和ダイナミクスへのイオン照射誘起欠陥の影響
- 28pYA-2 n-GaAsにおけるコヒーレントフォノン生成及び緩和への格子欠陥の影響
- 27pXB-8 n型およびp型ドープGaNのコヒーレントフォノン(超高速現象,領域5,光物性)
- パルス高電圧に伴うグロー放電を利用したプラズマイオン注入による炭素膜の作製
- 24pK-5 コヒーレントフォノン分光の格子欠陥分布測定への応用
- 26pYB-1 イオン照射Biにおけるコヒーレントフォノンの照射量依存性
- 25a-YN-11 イオン照射ビスマスのフォノンダイナミクス
- 1p-T-2 結晶シリコン中の水素分子の検出とその挙動
- 水素原子処理シリコン結晶中の水素分子
- 30p-PSB-63 KBrマトリックス中のYBaCuO微粒子の低磁場マイクロ波吸収
- 28aHC-2 E_0ギャップ近傍で励起したガリウム砒素のコヒーレントフォノンの光検出メカニズム(28aHC 超高速現象,領域5(光物性))
- 21pRB-7 ガリウム砒素のコヒーレントフォノンの光検出メカニズムII(21pRB 超高速現象,領域5(光物性))
- 19aHB-4 アナターゼおよびルチルTiO_2単結晶のコヒーレントフォノン生成機構(19aHB 超高速現象,領域5(光物性))
- 27aDB-10 GaPのコヒーレントフォノン・プラズモン結合モード(超高速現象(非線形光学・コヒーレントフォノン),領域5(光物性))