Si表面でのO_2分子線散乱で生成脱離するSiOの振動回転分布

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 1995-09-10

著者

• 北島 正弘

  金属材料技術研究所

• 中村 一隆

  金材研

• 中村 一隆

  金属材料技術研究所

• 北島 正弘

  物材機構:筑波大

関連論文

• 21aHT-4 黒鉛の衝撃圧縮による非晶質ダイヤモンドへの直接変換II(21aHT 格子欠陥・ナノ構造(炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 569 原子力製鉄用耐熱合金の還元ガス中における高温特性(耐熱鋼・耐熱合金, 性質, 日本鉄鋼協会第 101 回(春季)講演大会)
• 第18回高圧力の科学と技術に関する国際会議 (AIRAPT-18) 報告
• 超短パルス超高強度レーザーを用いたプロトン生成とそのレーザー強度とパルス幅依存性
• 水素化が及ぼすシリコン表面の偏光解析パラメータの変化
• 28p-YP-4 シリコン酸化表面の水素化に伴う偏光解析パラメータの変化
• 19pPSB-52 Si(100)表面における水素の反応性散乱ダイナミクス
• 29pPSA-37 固体表面上の散乱水素分子の内部状態選別並進運動エネルギー測定
• 29aYE-10 高密度光励起下におけるグラファイトの格子ダイナミクスの研究
• 28pYA-1 グラファイトのキャリアおよびフォノンのダイナミクスへの格子欠陥の影響
• 高張力鋼溶接熱影響部における部分溶融域の形成について(第 1 報) : 部分溶融域の観察と偏析
• ブリスタリングによる応力変調を利用した局所シリコン酸化の観察
• シリコンプラズマ酸化過程の Tight-binding 分子動力学シミュレーション
• 固体中の水素のラマン分光
• シリコン酸化膜成長過程の表面応力変動
• NF_3とSi基板の相互作用:密度汎関数法による検討
• Tight-binding分子動力学法を用いたSi表面の酸化過程におけるSiOの脱離挙動
• シリコン表面の酸化反応ポテンシャル曲面の計算
• 第2回「原子力極限環境下の材料化学」国際シンポジウム
• 原子力極限環境材料の開発
• シリコンのプラズマ酸化の偏光解析研究
• プラズマ酸窒化中のシリコン表面応力変動
• 電子照射によるシリコンの表面応力の緩和
• クリプトン酸素混合プラズマによるシリコン酸化中の表面応力変動
• 30aXE-8 欠陥による表面応力の発生とその電子誘起緩和
• ドデカンチオールの脱離に伴う微少応力の変動
• プラズマ酸化過程におけるSiの表面応力の研究
• 26p-YR-16 バイアスを印可したプラズマ酸化過程におけるSi表面応力の研究II
• 26p-YR-15 バイアスを印可したプラズマ酸化過程におけるSi表面応力の研究I
• 19pWH-6 Ultrafast Electron/Phonon Dynamics in Carbon Materials(Atom Dynamics and Formation of Nano-objects by Electronic Excitations)
• 26aWB-8 ビスマスのコヒーレントA_およびE_gフォノンの温度依存性(26aWB 超高速現象,領域5(光物性))
• 21aYD-6 金属Znにおけるコヒーレント光学フォノンの温度依存性(超高速現象・格子振動・緩和励起子,領域5(光物性))
• 半金属・半導体のコヒーレントフォノン : 緩和ダイナミクスへのイオン照射誘起欠陥の影響
• 水素イオンビームを用いたイオンマイクロアナリシスの評価
• 28pYA-2 n-GaAsにおけるコヒーレントフォノン生成及び緩和への格子欠陥の影響
• コヒーレントフォノン分光によるイオン照射材料研究
• パルス高電圧に伴うグロー放電を利用したプラズマイオン注入による炭素膜の作製
• 24pK-5 コヒーレントフォノン分光の格子欠陥分布測定への応用
• 26pYB-1 イオン照射Biにおけるコヒーレントフォノンの照射量依存性
• 25a-YN-11 イオン照射ビスマスのフォノンダイナミクス
• 1p-T-2 結晶シリコン中の水素分子の検出とその挙動
• 水素原子処理シリコン結晶中の水素分子
• 25aYK-6 黒鉛の衝撃圧縮による非晶質ダイヤモンドへの直接変換(格子欠陥・ナノ構造(炭素),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• レーザー衝撃圧縮誘起相転移のダイナミクス計測
• レーザー衝撃圧縮を用いた高圧相転移ダイナミクスの研究
• 高強度レーザーによる量子放出と物質ダイナミクス研究への応用
• 超高圧力下における凝縮系物質の状態と分子ダイナミクス
• 25aYK-10 C_フラーレンの衝撃圧縮によるポリマー化とフォトルミネセンス(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 30aUG-2 時間分解X線回折法による光学フォノン測定(30aUG 高エネルギー密度状態の科学(X線・凝縮系プラズマ物性),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
• Laser-Shock Compression of Rhodamine 6G Dye in Ethanol Solution Studied by Time-Resolved Fluorescence Spectroscopy
• 4.2 フェムト秒レーザーを用いたレーザープラズマと衝撃圧縮状態の診断(4. レーザー誘起衝撃波による物質研究の展開, レーザー誘起衝撃波圧縮を用いた状態方程式研究)
• 強光子場科学関連国際会議報告
• 22aXA-1 C_ フラーレンの衝撃圧縮による巨大炭素空洞球の創製
• 超短パルス硬X線の発生と結晶構造ダイナミクス観測への応用
• レーザー生成X線による超高速パルスX線回折計測 (特集 フェムト秒パルスレーザーによる新しい展開)
• レーザー誘起X線パルスによるピコ秒時間分解X線回折
• 衝撃波科学と技術の新たな展開 - ポンプ・プローブ計測と物質ダイナミクス -
• 先端追跡
• Eley-Rideal反応の2次元トラジェクトリー計算
• 高温Ge(100)表面のO_2分子線散乱による反応生成物GeOの共鳴多光子イオン化
• Si表面でのO_2分子線散乱で生成脱離するSiOの振動回転分布
• シリコンのプラズマ酸化における酸素イオンの効果
• 29a-T-1 シリコンのプラズマ酸化と表面電位の変動
• グラファイトの結晶格子乱れとその熱緩和過程
• 2p-PSA-55 シリコンのプラズマ酸化の試料バイアス効果
• 29p-WC-5 生成脱離SiO分子の多光子イオン化検出によるSi表面酸化の研究
• 13a-PS-9 高速偏光解析によるSi表面酸化超薄膜成長速度の基板結晶方向依存
• 13a-DK-2 希ガスイオン照射によるグラファイト結晶乱れ速度のイオン質量依存性
• 31p-N-4 イオン照射グラファイトの欠陥緩和過程
• スタンフォード大学化学科Zare研究室
• シリコン表面酸化反応におけるSiO分子の生成および脱離過程に関する量子化学的検討
• サマリー・アブストラクト
• 第41回米国真空学会シンポジウム
• 6pSG-6 ピコ秒パルスX線の発生と時間分解X線回折慣性核融合(主題:短波長短パルス高原の発展と物性測定への応用,領域2合同シンポジウム,領域5)
• 6pSG-6 ピコ秒パルスX線の発生と時間分解X線回折(主題:短波長波パルス光源の発展と物性測定への応用,領域5,領域2合同シンポジウム,領域5)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク