Tight-binding分子動力学法を用いたSi表面の酸化過程におけるSiOの脱離挙動
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概要
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MOSデバイスの高集積化に伴い、Siの表面酸化反応を原子レベルで制御する必要がある。Siの酸化反応は、温度や圧力に依存し、表面温度900K以下ではSiO_2膜を生成し900K以上では気相にSiO分子を生成脱離することが知られている。近年、酸素分子線散乱の実験によりSi表面から生成脱離するSiO分子の振動回転分布が報告され、熱平衡状態で脱離することがわかった。本研究では、電子状態の計算に拡張Huckel近似を用いるTight-binding分子動力学法(TBMD)を用いて、高温でのSiO脱離プロセスについて動的挙動の解析を行い実験と比較検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-08-20
著者
-
遠藤 明
東北大学大学院工学研究科
-
高羽 洋充
東北大学大学院工学研究科化学工学専攻
-
久保 百司
東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター
-
宮本 明
東北大学大学院 工学研究科
-
北島 正弘
金属材料技術研究所
-
久保 百司
東北大学大学院工学研究科
-
寺石 和夫
東北大学大学院工学研究科材料化学
-
山田 有場
東北大学大学院工学研究科
-
Ammal S.Salai
東北大学大学院工学研究科
-
S.Sslai.C. Ammal
東北大学大学院工学研究科
-
Ammal S.
東北大学大学院工学研究科材料化学専攻
-
北島 正弘
物材機構:筑波大
-
北島 正弘
物質・材料研究機構物性解析研究グループ
-
高羽 洋充
東北大学大学院工学研究科
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