ハイブリッド量子分子動力学法を用いたアモルファスシリコン基板へのドーピングプロセスの解析(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
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概要
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低エネルギーイオン注入法による極浅p^+/n接合面の形成は、半導体デバイス製造プロセスに欠かせないものとなっている。本研究では、低エネルギーイオン注入法による極浅p^+/n接合形成プロセスにおける原子ダイナミクスを解明するために、当研究室独自に開発した数千原子からなる大規模系の計算を可能とするハイブリッド量子分子動力学計算プログラムを用いて、プリアモルファス化したシリコン基板へのドーパント注入シミュレーションを行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-09-30
著者
-
坪井 秀行
東北大学大学院工学研究科応用化学専攻
-
久保 百司
東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター
-
宮本 明
東北大学大学院 工学研究科
-
増田 剛
東北大学大学院工学研究科
-
古山 通久
東北大学大学院工学研究科 応用化学専攻
-
DEL CARPIO
東北大学大学院工学研究科 応用化学専攻
-
久保 百司
東北大学大学院工学研究科
-
Del Carpio
東北大学 大学院工学研究科応用化学専攻
-
遠藤 明
東北大学流体科学研究所
-
坪井 秀行
東北大学大学院工学研究科化学工学専攻
-
坪井 秀行
東北大学大学院工学研究科
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