高速化量子分子動力学法による大規模Si系のバンド計算(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
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概要
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Si(11O)基板上に作製されたMOS-FETは、通常のSi(100)基板上に作製された場合と大きく異なり、とくにp型MOS-FETで正孔移動度が著しく改善されることが知られている。しかしながら、そのメカニズムは不明で、複雑なSiO_2/Si界面近傍のSi層バンド構造の解明が待たれている。今回、高速化量子分子動力学ソフト"Colors"を用いてSi層のバンド構造の大規模シミュレーションを実現したので報告する。
- 2004-10-08
著者
-
宮本 明
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
坪井 秀行
東北大学大学院工学研究科応用化学専攻
-
古山 通久
東北大学大学院工学研究科 応用化学専攻
-
久保 百司
東北大学大学院工学研究科
-
坪井 秀行
東北大学未来科学技術共同研究センター
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