220405 CMP研磨レート分布に及ぼすウェーハノッチの影響(OS16 東京ブロック・山梨ブロック共同企画 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS)2(研磨プロセス),オーガナイズド・セッション)
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概要
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Influence of wafer notch on removal rate profile in chemical mechanical polishing process was investigated experimentally. As a result, removal rate close to the notch was larger than that far from the notch. Effective range of the notch was about 2.5mm from edge exclusion area in radial direction and was about 5mm from notch center in circumferential direction when the edge exclusion was 2mm. Therefore, the number of chips affected by the notch in CMP process is around 1 or 2 at most.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2011-03-17
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