CMPに与える表面トポグラフィーの影響解析

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2002-10-01

著者

• 檜山 浩國

  (株)荏原製作所

• 辻村 学

  (株)荏原製作所

• 松尾 尚典

  (株)荏原総合研究所

• 太田 正廣

  東京都立大学大学院

• 太田 正廣

  東京都立大学

• 辻村 学

  荏原

• 檜山 浩國

  荏原製作所

関連論文

• STI-CMP性能に及ぼすウェーハエッジ形状の影響 : FEM解析を用いたウェーハ面圧分布計算による考察(機械要素,潤滑,設計,生産加工,生産システムなど)
• PET樹脂のリサイクルにおける汚染・混合物の凝集機構の研究(熱工学,内燃機関,動力など)
• P-131 竹刀の廃竹のガス化に関する研究(ポスター1,ポスター発表)
• シリコンウェーハ製造研磨におけるウェーハエッジ形状の影響評価
• 半導体デバイスと平坦化加工技術の動向と今後の展開(半導体デバイスの平坦化技術)
• 21706 CMPによる絶縁膜残留応力変化の有限要素法解析(配線2,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 21703 CMP加工精度が実効誘電率(k_)に与える影響(配線1,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• CMPにおけるウェーハエッジロールオフの影響(機械要素,潤滑,工作,生産管理など)
• 20115 CMP中のLow-k材料界面に作用する応力解析(機械工学が支援する先端デバイス評価技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 20114 フラッシュランプアニールの熱応力解析(機械工学が支援する先端デバイス評価技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 20101 機械工学が支援できる最先端デバイス(1) : Cu/low-k配線構造のCMPプロセスにおける有限要素法応力解析(機械工学が支援する半導体製造技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• CMPにおけるウェーハエッジロールオフの影響
• 20705 ダマシン構造におけるvia部最大応力の有限要素法解析(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
• 20704 STI-CMPに及ぼすナノトポグラフィの影響解析 : スラリ選択比に対する許容段差の定量的評価(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
• 20703 Cu/porous low-k構造におけるCMP中の応力解析(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
• CMPに与える表面トポグラフィーの影響解析
• 1206 活性炭細孔に吸着されたアルカン分子の分子動力学シミュレーション
• CMP性能に及ぼすプロセスパラメータの影響
• STIプロセスに及ぼすCMP平坦化性能の解析
• キャビテーションジョットを用いた半導体表面洗浄法の開発 : 流体工学, 流体機械
• ミスト用遠心分級機に関する研究
• 627 キャビテーションジョットを用いた半導体表面洗浄法の開発
• 2-5 ハイドレート生成による塩水の淡水化に関する研究((2)天然ガス供給,Session 2 天然ガス・メタンハイドレート等)
• 21710 次世代平坦化技術の比較(平坦化,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 超純水電解加工(超純水のみによる電気化学的加工方法)のCuダマシン平坦化プロセスへの適用開発
• 21413 シリコンウェーバ製造時の研磨におけるウェーハエッジ形状の影響(CMP,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
• In-situ電気化学的評価によるCMPスラリーと配線用金属との表面反応の評価及び表面層の物性評価
• 金属配線CMPスラリー各成分の in-situ 電気化学評価
• 21708 In-situ評価手法によるCMPスラリーおよび後処理液とCuとの表面反応の電気化学的評価(配線2,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 第1回環太平洋プラナリゼーションCMPとその応用技術に関する国際会議2004
• 銀多層配線の保護層としての無電解 Ni-B めっき
• 21111 IPMC型人工筋肉を用いた蠕動運動型水中推進機構(MEMS技術,OS.3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体,MEMS,NEMS))
• Cu/low-k構造デバイスのCMP後洗浄プロセスの開発(機構デバイス)
• Cu CMP後のCu表面解析
• ガスタービン燃焼器の低エミッション化に関する研究 : 燃焼条件の最適化と燃焼特性に関する考察
• 21110 微小液滴中固体微粒子のレーザマニピュレーション(MEMS技術,OS.3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体,MEMS,NEMS))
• O401 木質バイオマスおよび廃プラスチックの熱分解特性に関する研究(セッション4:技術〜ガス化・熱分解〜,口頭発表)
• PET樹脂のリサイクルにおける汚染・混合物の分離除去機構の研究(熱工学,内燃機関,動力など)
• B01 能動形再生器を用いたスターリング冷凍機の圧力特性(スターリング冷凍機及び関連要素)
• B208 カーボンナノチューブを用いたIPMC型人工筋肉の動作特性に関する研究(バイオミメティクス)
• A102 紅色光合成細菌の水素発生への水素代謝の変異と培地組成の影響(細胞・分子工学)
• A101 固体表面に施した微細な凹凸加工が紅色光合成細菌のバイオフィルム形成に与える影響(細胞・分子工学)
• 2402 能動形再生器を用いたスターリング冷凍機の流動特性(S28 スターリングサイクル機器の新たな展開,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
• 21512 炭酸ガスハイドレート生成による混合ガスからのガス分離(環境保全型エネルギー技術(1),OS.11 環境保全型エネルギー技術,学術講演)
• 21421 機械構造的アプローチによる導電性高分子アクチュエータの伸縮性能向上(MEMS,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
• 11604 光合成における不活性波長域光の蛍光タンパク質による有効利用(バイオエンジニアリング,一般講演,学術講演)
• 516 固体表面に施した微細矩形溝が紅色光合成細菌のバイオフィルム形成に与える影響(GS-2:一般セッション(2)材料)
• P-102 Study of Pyrolysis Kinetics of Newspaper and its Gasification
• 10・4・3 バイオマス・廃棄物発電(10・4 新エネルギー技術, 10.動力,創立110周年記念機械工学年鑑)
• OS5-7 ハイドレート生成による水蒸気改質後の混合ガス分離に関する研究(OS5 水素・燃料電池,循環型社会における動力エネルギー技術)
• 低温度差スターリング冷凍機用再生器内の往復流動に関する研究
• 乱流境界層の制御に関する基礎研究 : 第1報,逆圧力こう配,一様吸込みのある場合とない場合のポーラス平板上の速度分布と諸特性値の実験的,理論的解析
• SFUによる宇宙環境の研究
• メタンハイドレートの生成-構造-安定条件に関する分子動力学法シミュレーション
• 21103 スラリー各成分がCu表面層の機械的特性に及ぼす影響の定量的評価(微細計測技術,OS.3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体,MEMS,NEMS))
• 21412 CMPスラリーによるCu表面反応層の機械的特性のAFMを用いた評価(CMP,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
• 21414 電解複合研磨(ECMP)によるCuクリアプロセスの検討(CMP,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
• 21712 CMP用研磨パッドの幾何形状のポリッシュプロセスへの影響(平坦化,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 21404 高抵抗基板上へのダイレクトCuめっきプロセス検討(デバイス&配線技術1,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
• STI-CMP性能に及ぼすウェーハエッジ形状の影響 : FEM解析を用いたウェーハ面圧分布計算による考察
• デブリ検出用レーザーレーダーの開発
• 11704 紅色光合成細菌による焼酎廃液を用いた水素発生(産業・化学機械と安全)
• 2610 構成材料の違いによるレーザトラッピンク研究(S44-1 マイクロ気泡・粒子,S44 マイクロ・ナノフルイディクス)
• B202 光合成における不活性波長域太陽光の有効利用についてのシミュレーション(B2-1 生物の機能と運動)
• 20702 CMPにおける磁気軸受制御型研磨テーブルの姿勢制御(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
• CMP用スラリの特性評価
• 21721 親水性膜と疎水膜に対するIPA乾燥効果(流動,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 21707 CMPコスト削減のためのCuめっきの平坦化技術(配線2,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• CMPコスト削減のための銅配線めっきの平坦化技術
• 20104 磁気軸受制御型研磨ヘッドによるCMPの研磨性能向上(機械工学が支援する半導体製造技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 磁気軸受制御型研磨ヘッドによるCMPの均一性向上(機械要素,潤滑,工作,生産管理など)
• 424 磁気軸受制御型研磨ヘッドによる CMP の均一性向上
• F2-4 Red Brick (ITRS)への挑戦(F.2 半導体製造工程は,今何が問題なのか)
• 研磨
• 32nm世代用CMP装置 : CoO/CoCベスト
• 多層配線デバイス製造を支える最新のCMP平坦化技術(半導体デバイスの平坦化技術)
• 21714 酸化膜CMP用光学式終点検出モニター(薄膜・計測,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 20103 高感度・ナノ膜厚検知・CMP用渦電流式終点検出モニター(機械工学が支援する半導体製造技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• ADMETA 2005(15^ Advanced Metallization Conference 2005, Asian Session)(国際会議)
• 流体工学
• CMP中のlow-k材料界面のはく離可能性の予測方法
• 21106 電解複合CMPにおける加工レートと電解液充填率との関係(プロセス技術,OS.3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体,MEMS,NEMS))
• CMP装置のインプロセスモニタと制御 (全冊特集 300mm/130nm対応の半導体製造装置)
• 300 mm/0.18〜0.13μm世代のCMP技術 (半導体製造関連製品小特集)
• ナノトポグラフィのCMPへの影響
• CMP装置の現状と展望
• 新材料に対応する半導体製造装置・周辺機器 (特集 新材料・新プロセスによる半導体薄膜形成技術--銅配線,Low-k,High-k,CMPの最新動向を探る)
• 130nmテクニカルノード世代のCMP装置「F☆REX+フローティングヘッド」 (特集 CMP技術と関連装置・材料の新展開) -- (各社の最新CMP装置)
• Cu配線向け電解メッキ装置「DMP」 (特集 ミレニアムな半導体製造装置)
• クリ-ンCMPシステム (半導体製造関連製品小特集)
• キャビテーションの半導体精密洗浄への応用
• 荏原製作所 CMP装置「EPO-11/21/22形」 (特集 半導体工場への本格導入始まるCMP技術) -- (CMP装置編)
• CMP装置 (特集「情報化技術と産業機械」)
• 半導体製造装置のガスの流れ解析
• 半導体製造装置からの排ガス処理-1- (真空小特集)
• 20304 純粋の溶存酸素量と導電率がCu腐食に与える影響の定量的評価(OS3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS)(2),オーガナイズドセッション)
• 20306 ECMPの研磨圧力依存性シミュレーション(OS3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS)(2),オーガナイズドセッション)
• 7・4・3 真空ポンプ(7.4 空気機械)
• 半導体SiC基板の新しい研磨技術 : 触媒表面反応を利用した研磨技術の開発(話題の材料を活かす加工技術)
• 半導体産業を取り巻く技術課題と今後の展望

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク