シリコンウェーハ製造研磨におけるウェーハエッジ形状の影響評価

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 砥粒加工学会の論文
• 2009-02-01

著者

• 福田 明

  (株)荏原製作所

• 福田 哲生

  富士通マイクロエレクトロニクス(株)

• 檜山 浩國

  (株)荏原製作所

• 辻村 学

  (株)荏原製作所

• 土肥 俊郎

  九州大学大学院工学研究院

• 黒河 周平

  九州大学大学院工学研究院

• 土肥 俊郎

  埼玉大学教育学部

• 辻村 学

  株式会社荏原製作所精密・電子事業本部

• 福永 明

  荏原

• 黒河 周平

  九大

• 福田 明

  豊橋技科大・院

• 土肥 俊郎

  九州大学大学院

• 辻村 学

  荏原

• 黒河 周平

  九州大学大学院

• 檜山 浩國

  荏原製作所

関連論文

• STI-CMP性能に及ぼすウェーハエッジ形状の影響 : FEM解析を用いたウェーハ面圧分布計算による考察(機械要素,潤滑,設計,生産加工,生産システムなど)
• プラナリゼーションCMPとその応用技術専門委員会活動報告(5.3 専門委員会・分科会の活動,5.精密工学の輪,創立75周年記念)
• シリコンウェーハ製造研磨におけるウェーハエッジ形状の影響評価
• 半導体デバイスと平坦化加工技術の動向と今後の展開(半導体デバイスの平坦化技術)
• 21706 CMPによる絶縁膜残留応力変化の有限要素法解析(配線2,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 21703 CMP加工精度が実効誘電率(k_)に与える影響(配線1,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• CMPにおけるウェーハエッジロールオフの影響(機械要素,潤滑,工作,生産管理など)
• 20115 CMP中のLow-k材料界面に作用する応力解析(機械工学が支援する先端デバイス評価技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 20114 フラッシュランプアニールの熱応力解析(機械工学が支援する先端デバイス評価技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 20101 機械工学が支援できる最先端デバイス(1) : Cu/low-k配線構造のCMPプロセスにおける有限要素法応力解析(機械工学が支援する半導体製造技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• CMPにおけるウェーハエッジロールオフの影響
• 20705 ダマシン構造におけるvia部最大応力の有限要素法解析(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
• 20704 STI-CMPに及ぼすナノトポグラフィの影響解析 : スラリ選択比に対する許容段差の定量的評価(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
• 20703 Cu/porous low-k構造におけるCMP中の応力解析(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
• CMPに与える表面トポグラフィーの影響解析
• 1206 活性炭細孔に吸着されたアルカン分子の分子動力学シミュレーション
• CMP性能に及ぼすプロセスパラメータの影響
• STIプロセスに及ぼすCMP平坦化性能の解析
• キャビテーションジョットを用いた半導体表面洗浄法の開発 : 流体工学, 流体機械
• ミスト用遠心分級機に関する研究
• 627 キャビテーションジョットを用いた半導体表面洗浄法の開発
• 21710 次世代平坦化技術の比較(平坦化,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 超純水電解加工(超純水のみによる電気化学的加工方法)のCuダマシン平坦化プロセスへの適用開発
• 21413 シリコンウェーバ製造時の研磨におけるウェーハエッジ形状の影響(CMP,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
• In-situ電気化学的評価によるCMPスラリーと配線用金属との表面反応の評価及び表面層の物性評価
• 金属配線CMPスラリー各成分の in-situ 電気化学評価
• 21708 In-situ評価手法によるCMPスラリーおよび後処理液とCuとの表面反応の電気化学的評価(配線2,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 半導体LSIデバイスの平坦化CMPとその応用 : グローバリゼーション活動と教育啓蒙活動を目指して(プラナリゼーションCMPとその応用技術専門委員会,専門委員会・分科会研究レビュー)
• 第1回環太平洋プラナリゼーションCMPとその応用技術に関する国際会議2004
• 超LSIデバイスウエハのプラナリゼーションCMP技術( 専門委員会・分科会研究レビュー) : プラナリゼーション加工/CMP応用技術専門委員会
• プラナリゼーション/CMPとその応用
• 4H-SiC(0001)面の高能率研削
• 高圧マイクロジェットの洗浄力に関する研究 : 粒子挙動解析と洗浄実験による考察
• Cu/low-k構造デバイスのCMP後洗浄プロセスの開発(機構デバイス)
• Cu CMP後のCu表面解析
• 高圧酸素環境場で光触媒反応を重畳させた革新的加工法 : 密閉式ベルジャ型CMP装置(トピックス)
• 21103 スラリー各成分がCu表面層の機械的特性に及ぼす影響の定量的評価(微細計測技術,OS.3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体,MEMS,NEMS))
• 21412 CMPスラリーによるCu表面反応層の機械的特性のAFMを用いた評価(CMP,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
• 21414 電解複合研磨(ECMP)によるCuクリアプロセスの検討(CMP,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
• 21712 CMP用研磨パッドの幾何形状のポリッシュプロセスへの影響(平坦化,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• S1101-3-4 歯車の歯当たりとかみ合い評価法について : 可展円筒歯車歯面の図式展開について(伝動装置の基礎と応用セッション3)
• 21404 高抵抗基板上へのダイレクトCuめっきプロセス検討(デバイス&配線技術1,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
• STI-CMP性能に及ぼすウェーハエッジ形状の影響 : FEM解析を用いたウェーハ面圧分布計算による考察
• 光学・電子部品用のガラス研磨用酸化セリウム砥粒の低減研磨法と代替砥粒の提案 (特集 オプトメカトロニクス部品にかかわる希少金属とその削減技術)
• H21 Cu基板の電解複合CMP(E-CMP)に関する研究 : 電解セル形成不織布パッドと導電性パッドの加工レート(H2 加工(CMP-2))
• 20702 CMPにおける磁気軸受制御型研磨テーブルの姿勢制御(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
• CMP用スラリの特性評価
• 21721 親水性膜と疎水膜に対するIPA乾燥効果(流動,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 21707 CMPコスト削減のためのCuめっきの平坦化技術(配線2,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• CMPコスト削減のための銅配線めっきの平坦化技術
• 20104 磁気軸受制御型研磨ヘッドによるCMPの研磨性能向上(機械工学が支援する半導体製造技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 磁気軸受制御型研磨ヘッドによるCMPの均一性向上(機械要素,潤滑,工作,生産管理など)
• 424 磁気軸受制御型研磨ヘッドによる CMP の均一性向上
• F2-4 Red Brick (ITRS)への挑戦(F.2 半導体製造工程は,今何が問題なのか)
• H24 フュームドシリカスラリーによる層間絶縁膜CMPにおける粗大砥粒とマイクロスクラッチの関係 : マイクロスクラッチ観察法の検討について(H2 加工(CMP-2))
• H23 密閉型CMPシステムによるCu-CMPとその加工モデルの提案(H2 加工(CMP-2))
• 酸化膜CMPにおけるマイクロスクラッチ低減の検討 : CMPプロセスにおけるスクラッチの発生要因調査
• 硬質パッドを用いた高平坦化CMP技術の開発 : CMPプロセスにおけるウエーハ面内研磨均一性の改善
• 研磨
• 32nm世代用CMP装置 : CoO/CoCベスト
• 多層配線デバイス製造を支える最新のCMP平坦化技術(半導体デバイスの平坦化技術)
• 21714 酸化膜CMP用光学式終点検出モニター(薄膜・計測,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 20103 高感度・ナノ膜厚検知・CMP用渦電流式終点検出モニター(機械工学が支援する半導体製造技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• ADMETA 2005(15^ Advanced Metallization Conference 2005, Asian Session)(国際会議)
• 流体工学
• 高圧マイクロジェットの洗浄力に関する研究 : —ノズル形状の違いが洗浄力に与える影響—
• スプレー式洗浄の粒子解析と洗浄力に関する考察 : ―二流体スプレーと高圧マイクロジェットの洗浄力比較―
• CMP中のlow-k材料界面のはく離可能性の予測方法
• 21106 電解複合CMPにおける加工レートと電解液充填率との関係(プロセス技術,OS.3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体,MEMS,NEMS))
• H22 加工環境コントロールによるシリコンの加工に関する研究(H2 加工(CMP-2))
• CMP技術の来し方行く末(3.1 各分野の現状,3.精密工学の今,創立75周年記念)
• CMP平坦化加工技術の最新動向 (特集 CMP平坦化技術/極薄ウェハ加工の最新動向)
• 3122 歯車偏心と端面振れを考慮したかみ合い伝達誤差解析(S34-1 伝動装置の基礎と応用(1) 歯車の伝達誤差と振動,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
• 2208 かみ合い伝達誤差における大きな振幅変調指数の可能性(歯車の設計・性能評価,一般講演)
• H45 高強度球状黒鉛鋳鉄歯車の面圧強さに関する基礎研究 : 面圧強さに及ぼす銅の影響(H4 機素潤滑設計2)
• H44 偏心歯車のかみ合い伝達誤差における振幅変調量の実験的同定(H4 機素潤滑設計2)
• 加工環境を制御するベルジャー型密閉研磨装置による高能率CMP技術
• 超精密加工技術としてのCMP技術とその応用分野 (特集 「超」のつく技術)
• 超精密ポリシングとCMP技術の進歩--平坦化CMPの半導体LSIプロセスへの適用 (特集欄 超精密マイクロ・ナノ機械加工) -- (研磨加工)
• CMP装置のインプロセスモニタと制御 (全冊特集 300mm/130nm対応の半導体製造装置)
• 300 mm/0.18〜0.13μm世代のCMP技術 (半導体製造関連製品小特集)
• ナノトポグラフィのCMPへの影響
• CMP装置の現状と展望
• 液面での気泡崩壊に伴う液滴噴出現象を利用した小径球状粒子製造の試み
• 新材料に対応する半導体製造装置・周辺機器 (特集 新材料・新プロセスによる半導体薄膜形成技術--銅配線,Low-k,High-k,CMPの最新動向を探る)
• 130nmテクニカルノード世代のCMP装置「F☆REX+フローティングヘッド」 (特集 CMP技術と関連装置・材料の新展開) -- (各社の最新CMP装置)
• Cu配線向け電解メッキ装置「DMP」 (特集 ミレニアムな半導体製造装置)
• クリ-ンCMPシステム (半導体製造関連製品小特集)
• キャビテーションの半導体精密洗浄への応用
• 荏原製作所 CMP装置「EPO-11/21/22形」 (特集 半導体工場への本格導入始まるCMP技術) -- (CMP装置編)
• CMP装置 (特集「情報化技術と産業機械」)
• 半導体製造装置のガスの流れ解析
• 半導体製造装置からの排ガス処理-1- (真空小特集)
• シリコン・ウェーハのわずかなジオメトリ変動による問題点(はじめての精密工学)
• 1601 半導体用シリコン・ウェーハの力学的課題(基調講演,OS16.シリコン強度とシミュレーション,オーガナイズドセッション)
• 20304 純粋の溶存酸素量と導電率がCu腐食に与える影響の定量的評価(OS3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS)(2),オーガナイズドセッション)
• 20306 ECMPの研磨圧力依存性シミュレーション(OS3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS)(2),オーガナイズドセッション)
• 7・4・3 真空ポンプ(7.4 空気機械)
• 半導体SiC基板の新しい研磨技術 : 触媒表面反応を利用した研磨技術の開発(話題の材料を活かす加工技術)
• 半導体産業を取り巻く技術課題と今後の展望

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク