半導体LSIデバイスの平坦化CMPとその応用 : グローバリゼーション活動と教育啓蒙活動を目指して(プラナリゼーションCMPとその応用技術専門委員会,<特集>専門委員会・分科会研究レビュー)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人精密工学会の論文
- 2007-10-05
著者
-
木村 景一
九州工業大学
-
土肥 俊郎
九州大学大学院工学研究院
-
土肥 俊郎
九州大学大学院工学研究院知能機械システム部門
-
木下 正治
ニッタ・ハース(株)京都工場
-
木下 正治
ニッタ・ハース
-
土肥 俊郎
九州大学大学院
関連論文
- STI-CMP性能に及ぼすウェーハエッジ形状の影響 : FEM解析を用いたウェーハ面圧分布計算による考察(機械要素,潤滑,設計,生産加工,生産システムなど)
- 角形石英ガラス研磨におけるスラリー流れに関する研究
- プラナリゼーションCMPとその応用技術専門委員会活動報告(5.3 専門委員会・分科会の活動,5.精密工学の輪,創立75周年記念)
- シリコンウェーハ製造研磨におけるウェーハエッジ形状の影響評価
- 半導体デバイスと平坦化加工技術の動向と今後の展開(半導体デバイスの平坦化技術)
- 21413 シリコンウェーバ製造時の研磨におけるウェーハエッジ形状の影響(CMP,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
- 21107 CMPプロセスにおける材料除去モデルの研究 : 第三報-スラリー中の微粒子による材料除去現象の検討(プロセス技術,OS.3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体,MEMS,NEMS))
- 21415 CMPプロセスにおける材料除去モデルの研究 : 第二報-原子間力顕微鏡を用いた材料除去現象の検討(CMP,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
- 21711 CMPプロセスにおける材料除去モデルの研究(平坦化,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- H44 SiC単結晶に対する紫外光照射の及ぼす影響(H4 加工・生産システム4(CMPとその応用))
- H43 紫外光照射Cu-CMPの研究(H4 加工・生産システム4(CMPとその応用))
- H42 CMPにおけるスラリーフロー可視化に関する研究 : ポリシングパッド溝パターン設計の指針(H4 加工・生産システム4(CMPとその応用))
- H41 SiCセラミックスの高温CMP加工に関する基礎的研究(H4 加工・生産システム4(CMPとその応用))
- K14 MEMS技術を用いたCMPマイクロパターンパッドの研究 : マイクロパターンパッド表面形状の特性評価(K1 加工・生産システム2(ポリシング,CMP))
- K13 CMPにおけるウェハおよびポリシングパッドの温度変化に関する研究(K1 加工・生産システム2(ポリシング,CMP))
- K12 SiC単結晶に対する紫外光照射の及ぼす影響(K1 加工・生産システム2(ポリシング,CMP))
- K11 ArFエキシマレーザによるPCDのUV-ポリシングの研究(K1 加工・生産システム2(ポリシング,CMP))
- 20102 CMPにおけるポリシングパッド表面のモデル化の試み(機械工学が支援する半導体製造技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- 半導体LSIデバイスの平坦化CMPとその応用 : グローバリゼーション活動と教育啓蒙活動を目指して(プラナリゼーションCMPとその応用技術専門委員会,専門委員会・分科会研究レビュー)
- 第1回環太平洋プラナリゼーションCMPとその応用技術に関する国際会議2004
- 超LSIデバイスウエハのプラナリゼーションCMP技術( 専門委員会・分科会研究レビュー) : プラナリゼーション加工/CMP応用技術専門委員会
- プラナリゼーション/CMPとその応用
- 4H-SiC(0001)面の高能率研削
- 高圧マイクロジェットの洗浄力に関する研究 : 粒子挙動解析と洗浄実験による考察
- 平坦化CMPにおけるナノトポグラフィとその低減を目指すマイクロモーション機構導入の両面同時ポリシング装置
- 加工雰囲気を制御したベルジャー型ポリシング(CAP)装置とそのCMP特性
- CMPにおけるウエハとパッドすきま内スラリー流れの数値解析 : 溝なし,同心円溝,放射状溝での比較(流体工学,流体機械)
- 1450 CMP回転パッドの上におけるスラリー液膜流動解析(S38-4 混合・界面,S38 マイクロ・ナノフルイズ)
- 石英ガラス研磨におけるスラリー輸送解析
- 2相流モデルを用いたCMPにおける回転パッド上のスラリー液膜流動数値解析(流体工学,流体機械)
- 21709 超精密加工技術としてのCMP技術(平坦化,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- E45 CMPにおける回転パッド上のスラリー液膜流れ数値解析(E4 流体工学10)
- 世界トップの半導体材料を目指して(グラビアとインタビュー精密工学の最前線)
- 20709 CMPプロセスにおけるポリシング距離の研究(機械工学が支援する半導体製造技術(II),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
- 高圧酸素環境場で光触媒反応を重畳させた革新的加工法 : 密閉式ベルジャ型CMP装置(トピックス)
- S1101-3-4 歯車の歯当たりとかみ合い評価法について : 可展円筒歯車歯面の図式展開について(伝動装置の基礎と応用セッション3)
- STI-CMP性能に及ぼすウェーハエッジ形状の影響 : FEM解析を用いたウェーハ面圧分布計算による考察
- 光学・電子部品用のガラス研磨用酸化セリウム砥粒の低減研磨法と代替砥粒の提案 (特集 オプトメカトロニクス部品にかかわる希少金属とその削減技術)
- B12 CMPパッド上に滴下されたスラリーの流動シミュレーション(B1 流体工学(液膜流れ))
- H21 Cu基板の電解複合CMP(E-CMP)に関する研究 : 電解セル形成不織布パッドと導電性パッドの加工レート(H2 加工(CMP-2))
- 平坦化CMPにおけるパッドドレッシングに関する研究(第2報)
- 平坦化CMPにおけるパッドドレッシングに関する研究
- 20710 半導体用研磨スラリーの特性について(機械工学が支援する半導体製造技術(II),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
- 遠心分離によるフュームドシリカスラリーの粗大粒子除去
- Wスラリーにおける研磨特性の向上
- シリカスラリーの再分散性
- 石英ガラス研磨におけるスラリー輸送解析
- H24 フュームドシリカスラリーによる層間絶縁膜CMPにおける粗大砥粒とマイクロスクラッチの関係 : マイクロスクラッチ観察法の検討について(H2 加工(CMP-2))
- H23 密閉型CMPシステムによるCu-CMPとその加工モデルの提案(H2 加工(CMP-2))
- 酸化膜CMPにおけるマイクロスクラッチ低減の検討 : CMPプロセスにおけるスクラッチの発生要因調査
- 硬質パッドを用いた高平坦化CMP技術の開発 : CMPプロセスにおけるウエーハ面内研磨均一性の改善
- プラナリゼーションCMP技術に関わる最近の動向 (特集 砥粒(研削・研磨)加工技術)
- H13 CMPにおけるウェット条件下のポリシングパッド-ウェハ間の接触状態観察法に関する研究(H1 加工(CMP-1))
- H12 角型形状大型石英ガラス基板のCMPにおけるスラリー流れの研究(H1 加工(CMP-1))
- H11 紫外光照射Cu-CMPの研磨特性に関する研究(H1 加工(CMP-1))
- 高圧マイクロジェットの洗浄力に関する研究 : —ノズル形状の違いが洗浄力に与える影響—
- H14 有機EL材料の噴霧とその平坦化に関する検討(H1 加工(CMP-1))
- スプレー式洗浄の粒子解析と洗浄力に関する考察 : ―二流体スプレーと高圧マイクロジェットの洗浄力比較―
- 21106 電解複合CMPにおける加工レートと電解液充填率との関係(プロセス技術,OS.3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体,MEMS,NEMS))
- S1303-1-4 2波長のレーザ回折によるオンマシン工具測定精度向上の試み(加工計測・評価システム(1))
- CMP加工とトライボロジー : CMP加工における材料除去メカニズム
- ファインセラミックスの超精密ポリシング
- H22 加工環境コントロールによるシリコンの加工に関する研究(H2 加工(CMP-2))
- CMP技術の来し方行く末(3.1 各分野の現状,3.精密工学の今,創立75周年記念)
- CMP平坦化加工技術の最新動向 (特集 CMP平坦化技術/極薄ウェハ加工の最新動向)
- 3122 歯車偏心と端面振れを考慮したかみ合い伝達誤差解析(S34-1 伝動装置の基礎と応用(1) 歯車の伝達誤差と振動,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
- 2208 かみ合い伝達誤差における大きな振幅変調指数の可能性(歯車の設計・性能評価,一般講演)
- H45 高強度球状黒鉛鋳鉄歯車の面圧強さに関する基礎研究 : 面圧強さに及ぼす銅の影響(H4 機素潤滑設計2)
- H44 偏心歯車のかみ合い伝達誤差における振幅変調量の実験的同定(H4 機素潤滑設計2)
- 加工環境を制御するベルジャー型密閉研磨装置による高能率CMP技術
- 超精密加工技術としてのCMP技術とその応用分野 (特集 「超」のつく技術)
- 超精密ポリシングとCMP技術の進歩--平坦化CMPの半導体LSIプロセスへの適用 (特集欄 超精密マイクロ・ナノ機械加工) -- (研磨加工)
- 次世代多層配線プロセスとCMP技術の動向 (特集 半導体平坦化CMP技術)
- パッド表面を基準面とするドレッシング技術の開発 : —フレキシブルファイバードレッサーとドレッシング均一性評価の開発—
- 研磨パッドのマイクロラフネスとCu研磨性能
- 西播磨テクノポリスは今(精密工学の最前線) : 播磨科学公園都市に見る
- CMPにおける高圧マイクロジェットによる不織布系パッドの非破壊コンディショニング
- 研磨パッド (特集 超精密研磨加工はどこまで進んだか) -- (研磨資材の選び方・使い方)
- シリコンウェハの加工 今後のシリコンウェハ加工に求められる課題 (特集 高付加価値を生み出す固定砥粒研磨技術)
- 2621 CMPパッドにおける同心円溝内部のスラリー輸送の詳細数値解析(S44-3 マイクロ・ナノ流れの数値解析,S44 マイクロ・ナノフルイディクス)
- 半導体デバイスプロセスにおけるCMP(はじめての精密工学)
- 超精密研磨/CMP技術とその最新動向(その2) : 最新のCMP技術とトライボケミカル応用
- 超精密研磨/CMP技術とその最新動向(その1) : 研磨の発展経緯と加工原理
- 磨製出土品における砥粒加工技術 : 翡翠を用いた勾玉とその製作工程
- ホブコーティング膜の耐摩耗性に関する基礎研究(一本刃舞いツールによる断続切削試験)
- 化学機械研磨(CMP)と研磨剤
- 酸化セリウムとその代替を目指す酸化マンガン系スラリーによるガラス基板の研磨特性とその加工メカニズム
- タングステンCMPスラリーのリサイクルに関する基礎的研究
- C31 CMPにおけるウェハ及び研磨パッド間のスラリー流れ解析(C3 流体工学3)
- 半導体CMP/平坦化技術とその最新動向 (特集 CMP/平坦化技術の最新動向)
- 化学機械研磨(CMP)と研磨剤(教科書から一歩進んだ身近な製品の化学)
- 20306 ECMPの研磨圧力依存性シミュレーション(OS3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS)(2),オーガナイズドセッション)
- 315 加工環境制御型密閉式両面CMP装置の設計試作とその加工特性(GS 生産加工II)
- 320 CMP用パッドのコンディショニング特性の定量的評価法とその考察(GS 生産加工III)
- 317 CMP用フュームドシリカスラリー調整条件とスクラッチ欠陥発生との相関関係(GS 生産加工III)
- 307 MEMS技術を応用したCMP用マイクロパターンパッドの研究 : 異なる形状パターンによる研磨レートの比較(GS 生産加工I)
- 20305 CMPプロセスにおける材料除去モデルの研究 : 第四報 : スラリー中の微粒子の機能に関する研究(OS3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS)(2),オーガナイズドセッション)
- 715 CMPにおける研磨パッドのスラリー排出・供給性能の解析(GS 流体工学X)
- 309 層間絶縁膜CMPプロセスにおけるスラリー中の微粒子の挙動観察(GS 生産加工I)
- 高速加工における小径工具の高精度オンマシン計測 (特集 工作機械の高精度化を保証するインプロセス/オンマシン計測技術の最新動向)