21415 CMPプロセスにおける材料除去モデルの研究 : 第二報-原子間力顕微鏡を用いた材料除去現象の検討(CMP,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
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概要
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The material removal phenomenon in CMP process is not clarified yet. Therefore, the appropriate material removal model has not established. In this study, the interaction among wafer surface, polishing pad surface and fine particles in slurry was observed and material removal mechanism was investigated. At first, the property of SiO_2 film in solution was investigated with AFM indentation. Next, the AFM tip after indentation was observed with SEM-EDX system. In pH7〜pH 10 solution, SiO_2 film changed to soft material, and small adherent which was SiO_2 was observed in pH7 solution. This fact suggests that fine particles in slurry adhere materials from SiO_2 film with chemical adherent force.
- 社団法人日本機械学会の論文
- 2008-03-13
著者
-
橋山 雄一
九州工業大学大学院
-
木村 景一
九州工業大学
-
カチョーンルンルアン パナート
九州工業大学
-
橋山 雄一
九工大
-
カチョーンルンルアン P.
阪大
-
木村 景一
九州工大
-
木村 景一
九州工業大学大学院
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