20709 CMPプロセスにおけるポリシング距離の研究(機械工学が支援する半導体製造技術(II),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Material removal mechanism in CMP process is complicated phenomena and it is difficult to analyse quantitatively because of combined chemical and mechanical processes. Recent analysis on CMP material removal is based on the action of fine particles in slurry. However, it is considered that particles work on wafer surface equally, thus material removal on wafer surface occurs uniformly and it is difficult to predict material removal distribution on wafer surface. For analysis of material removal distribution on wafer surface, variation of polishing distance generated by the motion of CMP machine structure and machine motion conditions has to be considered. On the report, the influence on polishing distance for material removal in CMP process is investgated.
- 社団法人日本機械学会の論文
- 2005-03-17
著者
関連論文
- 角形石英ガラス研磨におけるスラリー流れに関する研究
- 21107 CMPプロセスにおける材料除去モデルの研究 : 第三報-スラリー中の微粒子による材料除去現象の検討(プロセス技術,OS.3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体,MEMS,NEMS))
- 21415 CMPプロセスにおける材料除去モデルの研究 : 第二報-原子間力顕微鏡を用いた材料除去現象の検討(CMP,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
- 21711 CMPプロセスにおける材料除去モデルの研究(平坦化,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- H44 SiC単結晶に対する紫外光照射の及ぼす影響(H4 加工・生産システム4(CMPとその応用))
- H43 紫外光照射Cu-CMPの研究(H4 加工・生産システム4(CMPとその応用))
- H42 CMPにおけるスラリーフロー可視化に関する研究 : ポリシングパッド溝パターン設計の指針(H4 加工・生産システム4(CMPとその応用))
- H41 SiCセラミックスの高温CMP加工に関する基礎的研究(H4 加工・生産システム4(CMPとその応用))
- K14 MEMS技術を用いたCMPマイクロパターンパッドの研究 : マイクロパターンパッド表面形状の特性評価(K1 加工・生産システム2(ポリシング,CMP))
- K13 CMPにおけるウェハおよびポリシングパッドの温度変化に関する研究(K1 加工・生産システム2(ポリシング,CMP))
- K12 SiC単結晶に対する紫外光照射の及ぼす影響(K1 加工・生産システム2(ポリシング,CMP))
- K11 ArFエキシマレーザによるPCDのUV-ポリシングの研究(K1 加工・生産システム2(ポリシング,CMP))
- 20102 CMPにおけるポリシングパッド表面のモデル化の試み(機械工学が支援する半導体製造技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- 半導体LSIデバイスの平坦化CMPとその応用 : グローバリゼーション活動と教育啓蒙活動を目指して(プラナリゼーションCMPとその応用技術専門委員会,専門委員会・分科会研究レビュー)
- CMPにおけるウエハとパッドすきま内スラリー流れの数値解析 : 溝なし,同心円溝,放射状溝での比較(流体工学,流体機械)
- 1450 CMP回転パッドの上におけるスラリー液膜流動解析(S38-4 混合・界面,S38 マイクロ・ナノフルイズ)
- 石英ガラス研磨におけるスラリー輸送解析
- 2相流モデルを用いたCMPにおける回転パッド上のスラリー液膜流動数値解析(流体工学,流体機械)
- 21709 超精密加工技術としてのCMP技術(平坦化,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- E45 CMPにおける回転パッド上のスラリー液膜流れ数値解析(E4 流体工学10)
- 世界トップの半導体材料を目指して(グラビアとインタビュー精密工学の最前線)
- 20709 CMPプロセスにおけるポリシング距離の研究(機械工学が支援する半導体製造技術(II),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
- B12 CMPパッド上に滴下されたスラリーの流動シミュレーション(B1 流体工学(液膜流れ))
- 石英ガラス研磨におけるスラリー輸送解析
- H13 CMPにおけるウェット条件下のポリシングパッド-ウェハ間の接触状態観察法に関する研究(H1 加工(CMP-1))
- H12 角型形状大型石英ガラス基板のCMPにおけるスラリー流れの研究(H1 加工(CMP-1))
- H11 紫外光照射Cu-CMPの研磨特性に関する研究(H1 加工(CMP-1))
- S1303-1-4 2波長のレーザ回折によるオンマシン工具測定精度向上の試み(加工計測・評価システム(1))
- CMP加工とトライボロジー : CMP加工における材料除去メカニズム
- ファインセラミックスの超精密ポリシング
- 2621 CMPパッドにおける同心円溝内部のスラリー輸送の詳細数値解析(S44-3 マイクロ・ナノ流れの数値解析,S44 マイクロ・ナノフルイディクス)
- C31 CMPにおけるウェハ及び研磨パッド間のスラリー流れ解析(C3 流体工学3)
- 307 MEMS技術を応用したCMP用マイクロパターンパッドの研究 : 異なる形状パターンによる研磨レートの比較(GS 生産加工I)
- 20305 CMPプロセスにおける材料除去モデルの研究 : 第四報 : スラリー中の微粒子の機能に関する研究(OS3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS)(2),オーガナイズドセッション)
- 715 CMPにおける研磨パッドのスラリー排出・供給性能の解析(GS 流体工学X)
- 309 層間絶縁膜CMPプロセスにおけるスラリー中の微粒子の挙動観察(GS 生産加工I)
- 高速加工における小径工具の高精度オンマシン計測 (特集 工作機械の高精度化を保証するインプロセス/オンマシン計測技術の最新動向)