木村 景一 | 九州工業大学

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概要

• 同名の論文著者
• 九州工業大学の論文著者

関連著者

• 木村 景一

  九州工業大学

• 木村 景一

  九州工大

• 木村 景一

  九州工業大学大学院

• カチョーンルンルアン P.

  阪大

• カチョーンルンルアン パナート

  九州工業大学

• 永山 勝也

  九州工業大学情報工学部

• 永山 勝也

  九州工大

• 橋山 雄一

  九州工業大学大学院

• 永山 勝也

  九工大

• 永山 勝也

  九州工業大学

• 木村 景一

  九工大

• 橋山 雄一

  九州工業大学

• パナート カチョーンルンルアン

  九工大

• 田中 和博

  九州工業大学情報工学部機械情報工学科

• 田中 和博

  九州工業大学

• 永山 勝也

  九工大情報工

• カチョーンルンルアン パナート

  九工大

• パナート カチョーンルンルアン

  九州工業大学

• 森下 浩文

  九州工業大学情報工学部

• 木村 景一

  九州工業大学大学院 情報工学研究院

• 酒井 智美

  TOTO(株)

• 今城 真

  九州工業大学大学院

• 和田 なぎさ

  九州工業大学

• 松本 匡史

  九州工業大学情報工学部

• 内田 邦亮

  九州工業大学大学院

• 今城 真

  九州工業大学大学院情報工学府情報システム専攻

• 野中 薫雄

  琉球大学医学部器官病態医科学講座皮膚科

• 土肥 俊郎

  九州大学大学院工学研究院

• 土肥 俊郎

  九州大学大学院工学研究院知能機械システム部門

• 木下 正治

  ニッタ・ハース(株)京都工場

• 木下 正治

  ニッタ・ハース

• 田中 和博

  九工大

• 橋山 雄一

  九工大

• 松本 匡史

  九工大・情

• 久津摩 勇人

  九州工業大学

• 稲津 陽介

  九州工業大学

• 松永 健助

  九州工業大学

• 俣野 秀紀

  九工大

• 高橋 直亮

  九工大情

• 上野 和樹

  九州工業大学

• 神武 佳宏

  九工大

• 酒井 智美

  九州工業大学院

• 川本 佳史

  CASMAT次世代半導体材料技術研究組合

• 江本 修幸

  九州工業大学

• 酒井 智美

  九州工大院

• 岡本 英一郎

  九州工業大学・情報工学部

• 和田 なぎさ

  九州工大

• カチョーンルンルアン パナート

  九州工大

• 李木 宣孝

  九工大

• アパラサミ ムラリ・ラオ

  九工大

• パナート 力チョーンルンルアン

  九州工業大学情報工学研究院

• 吉廣 俊志

  九州工業大学情報工学研究院

• 吉廣 俊志

  九州工業大学情報工学研究院:(現)三菱重工業(株)

• 森下 浩文

  トヨタ自動車(株)

• 土肥 俊郎

  九州大学大学院

• 森下 浩文

  九工大院

• 安田 佳祐

  九州工業大学大学院

• 田中 明穂

  九州工業大学

• 出井 良和

  九工大院

• 木村 景一

  Kyushu Institute of Technology

• カチョーンルンルアン パナート

  Kyushu Institute of Technology

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著作論文

• 角形石英ガラス研磨におけるスラリー流れに関する研究
• 21107 CMPプロセスにおける材料除去モデルの研究 : 第三報-スラリー中の微粒子による材料除去現象の検討(プロセス技術,OS.3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体,MEMS,NEMS))
• 21415 CMPプロセスにおける材料除去モデルの研究 : 第二報-原子間力顕微鏡を用いた材料除去現象の検討(CMP,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
• 21711 CMPプロセスにおける材料除去モデルの研究(平坦化,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• H44 SiC単結晶に対する紫外光照射の及ぼす影響(H4 加工・生産システム4(CMPとその応用))
• H43 紫外光照射Cu-CMPの研究(H4 加工・生産システム4(CMPとその応用))
• H42 CMPにおけるスラリーフロー可視化に関する研究 : ポリシングパッド溝パターン設計の指針(H4 加工・生産システム4(CMPとその応用))
• H41 SiCセラミックスの高温CMP加工に関する基礎的研究(H4 加工・生産システム4(CMPとその応用))
• K14 MEMS技術を用いたCMPマイクロパターンパッドの研究 : マイクロパターンパッド表面形状の特性評価(K1 加工・生産システム2(ポリシング,CMP))
• K13 CMPにおけるウェハおよびポリシングパッドの温度変化に関する研究(K1 加工・生産システム2(ポリシング,CMP))
• K12 SiC単結晶に対する紫外光照射の及ぼす影響(K1 加工・生産システム2(ポリシング,CMP))
• K11 ArFエキシマレーザによるPCDのUV-ポリシングの研究(K1 加工・生産システム2(ポリシング,CMP))
• 20102 CMPにおけるポリシングパッド表面のモデル化の試み(機械工学が支援する半導体製造技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 半導体LSIデバイスの平坦化CMPとその応用 : グローバリゼーション活動と教育啓蒙活動を目指して(プラナリゼーションCMPとその応用技術専門委員会,専門委員会・分科会研究レビュー)
• CMPにおけるウエハとパッドすきま内スラリー流れの数値解析 : 溝なし,同心円溝,放射状溝での比較(流体工学,流体機械)
• 1450 CMP回転パッドの上におけるスラリー液膜流動解析(S38-4 混合・界面,S38 マイクロ・ナノフルイズ)
• 石英ガラス研磨におけるスラリー輸送解析
• 2相流モデルを用いたCMPにおける回転パッド上のスラリー液膜流動数値解析(流体工学,流体機械)
• 21709 超精密加工技術としてのCMP技術(平坦化,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• E45 CMPにおける回転パッド上のスラリー液膜流れ数値解析(E4 流体工学10)
• 世界トップの半導体材料を目指して(グラビアとインタビュー精密工学の最前線)
• 20709 CMPプロセスにおけるポリシング距離の研究(機械工学が支援する半導体製造技術(II),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
• B12 CMPパッド上に滴下されたスラリーの流動シミュレーション(B1 流体工学(液膜流れ))
• 石英ガラス研磨におけるスラリー輸送解析
• H13 CMPにおけるウェット条件下のポリシングパッド-ウェハ間の接触状態観察法に関する研究(H1 加工(CMP-1))
• H12 角型形状大型石英ガラス基板のCMPにおけるスラリー流れの研究(H1 加工(CMP-1))
• H11 紫外光照射Cu-CMPの研磨特性に関する研究(H1 加工(CMP-1))
• S1303-1-4 2波長のレーザ回折によるオンマシン工具測定精度向上の試み(加工計測・評価システム(1))
• CMP加工とトライボロジー : CMP加工における材料除去メカニズム
• ファインセラミックスの超精密ポリシング
• 2621 CMPパッドにおける同心円溝内部のスラリー輸送の詳細数値解析(S44-3 マイクロ・ナノ流れの数値解析,S44 マイクロ・ナノフルイディクス)
• C31 CMPにおけるウェハ及び研磨パッド間のスラリー流れ解析(C3 流体工学3)
• 307 MEMS技術を応用したCMP用マイクロパターンパッドの研究 : 異なる形状パターンによる研磨レートの比較(GS 生産加工I)
• 20305 CMPプロセスにおける材料除去モデルの研究 : 第四報 : スラリー中の微粒子の機能に関する研究(OS3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS)(2),オーガナイズドセッション)
• 715 CMPにおける研磨パッドのスラリー排出・供給性能の解析(GS 流体工学X)
• 309 層間絶縁膜CMPプロセスにおけるスラリー中の微粒子の挙動観察(GS 生産加工I)
• 高速加工における小径工具の高精度オンマシン計測 (特集 工作機械の高精度化を保証するインプロセス/オンマシン計測技術の最新動向)

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