21107 CMPプロセスにおける材料除去モデルの研究 : 第三報-スラリー中の微粒子による材料除去現象の検討(プロセス技術,OS.3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体,MEMS,NEMS))
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概要
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The material removal phenomenon in CMP process is not clarified yet. Therefore, the appropriate material removal model has not established. In this study, the interaction among wafer surface, polishing pad surface and fine particles in slurry was observed and material removal mechanism was investigated. In this report. the property of SiO_2 film in alkalinity solution was investigated with AFM indentation. In pH8.5 solution. SiO_2 film in KOH solution is softer than SiO_2 film in NH_4OH. In pH10 solution, a property of SiO_2 film in KOH solution is quite simillar to a property of SiO, film in NH_4OH solution. This fact suggests that in pH10 solution SiO_2 film changes soft film, the a chemical reaction layer in KOH solution is the same as a chemical layer solution in NH_4OH.
- 社団法人日本機械学会の論文
- 2009-03-05
著者
-
橋山 雄一
九州工業大学大学院
-
木村 景一
九州工業大学
-
カチョーンルンルアン パナート
九州工業大学
-
カチョーンルンルアン P.
阪大
-
木村 景一
九州工大
-
木村 景一
九州工業大学大学院
-
橋山 雄一
九州工業大学
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