21106 電解複合CMPにおける加工レートと電解液充填率との関係(プロセス技術,OS.3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体,MEMS,NEMS))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
The correlation of electrolyte-filling ratio with Cu removal rate is studied using a rotary type electro-chemical mechanical polishing apparatus. Higher electrolyte-filling ratio is found to result in higher removal rate. The influence upon the electrolyte-filling ratio of rotating speed of polishing pad, diameter of pad aperture and electrolyte supply rate is investigated experimentally.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2009-03-05
著者
-
福田 明
(株)荏原製作所
-
檜山 浩國
(株)荏原製作所
-
土肥 俊郎
九州大学大学院工学研究院
-
黒河 周平
九州大学大学院工学研究院
-
當間 康
(株)荏原総合研究所
-
土肥 俊郎
九州大学
-
土肥 俊郎
埼玉大学教育学部
-
王 新明
荏原総研
-
福田 明
荏原総研
-
檜山 浩國
荏原総研
-
福永 明
荏原
-
當間 康
荏原総研
-
鈴木 作
荏原総研
-
小寺 章
荏原総研
-
當間 康
荏原総合研究所
-
黒河 周平
九大
-
福田 明
豊橋技科大・院
-
黒河 周平
九州大学 大学院工学研究院
-
土肥 俊郎
九大 大学院工学研究院
-
土肥 俊郎
九州大学大学院
-
檜山 浩國
荏原製作所
-
黒河 周平
九州大学
関連論文
- STI-CMP性能に及ぼすウェーハエッジ形状の影響 : FEM解析を用いたウェーハ面圧分布計算による考察(機械要素,潤滑,設計,生産加工,生産システムなど)
- プラナリゼーションCMPとその応用技術専門委員会活動報告(5.3 専門委員会・分科会の活動,5.精密工学の輪,創立75周年記念)
- シリコンウェーハ製造研磨におけるウェーハエッジ形状の影響評価
- 半導体デバイスと平坦化加工技術の動向と今後の展開(半導体デバイスの平坦化技術)
- 21706 CMPによる絶縁膜残留応力変化の有限要素法解析(配線2,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- 21703 CMP加工精度が実効誘電率(k_)に与える影響(配線1,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- CMPにおけるウェーハエッジロールオフの影響(機械要素,潤滑,工作,生産管理など)
- 20115 CMP中のLow-k材料界面に作用する応力解析(機械工学が支援する先端デバイス評価技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- 20114 フラッシュランプアニールの熱応力解析(機械工学が支援する先端デバイス評価技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- 20101 機械工学が支援できる最先端デバイス(1) : Cu/low-k配線構造のCMPプロセスにおける有限要素法応力解析(機械工学が支援する半導体製造技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- CMPにおけるウェーハエッジロールオフの影響
- 20705 ダマシン構造におけるvia部最大応力の有限要素法解析(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
- 20704 STI-CMPに及ぼすナノトポグラフィの影響解析 : スラリ選択比に対する許容段差の定量的評価(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
- 20703 Cu/porous low-k構造におけるCMP中の応力解析(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
- CMPに与える表面トポグラフィーの影響解析
- 1206 活性炭細孔に吸着されたアルカン分子の分子動力学シミュレーション
- CMP性能に及ぼすプロセスパラメータの影響
- STIプロセスに及ぼすCMP平坦化性能の解析
- キャビテーションジョットを用いた半導体表面洗浄法の開発 : 流体工学, 流体機械
- ミスト用遠心分級機に関する研究
- 627 キャビテーションジョットを用いた半導体表面洗浄法の開発
- 21413 シリコンウェーバ製造時の研磨におけるウェーハエッジ形状の影響(CMP,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
- 半導体LSIデバイスの平坦化CMPとその応用 : グローバリゼーション活動と教育啓蒙活動を目指して(プラナリゼーションCMPとその応用技術専門委員会,専門委員会・分科会研究レビュー)
- 第1回環太平洋プラナリゼーションCMPとその応用技術に関する国際会議2004
- 超LSIデバイスウエハのプラナリゼーションCMP技術( 専門委員会・分科会研究レビュー) : プラナリゼーション加工/CMP応用技術専門委員会
- プラナリゼーション/CMPとその応用
- 4H-SiC(0001)面の高能率研削
- 高圧マイクロジェットの洗浄力に関する研究 : 粒子挙動解析と洗浄実験による考察
- 1218 高強度球状黒鉛鋳鉄歯車の負荷能力に関する研究 : H-FCD800歯車の場合(面圧強度・疲労強度,一般講演)
- 高圧酸素環境場で光触媒反応を重畳させた革新的加工法 : 密閉式ベルジャ型CMP装置(トピックス)
- S1101-3-4 歯車の歯当たりとかみ合い評価法について : 可展円筒歯車歯面の図式展開について(伝動装置の基礎と応用セッション3)
- STI-CMP性能に及ぼすウェーハエッジ形状の影響 : FEM解析を用いたウェーハ面圧分布計算による考察
- 光学・電子部品用のガラス研磨用酸化セリウム砥粒の低減研磨法と代替砥粒の提案 (特集 オプトメカトロニクス部品にかかわる希少金属とその削減技術)
- H21 Cu基板の電解複合CMP(E-CMP)に関する研究 : 電解セル形成不織布パッドと導電性パッドの加工レート(H2 加工(CMP-2))
- CMP用スラリの特性評価
- H24 フュームドシリカスラリーによる層間絶縁膜CMPにおける粗大砥粒とマイクロスクラッチの関係 : マイクロスクラッチ観察法の検討について(H2 加工(CMP-2))
- H23 密閉型CMPシステムによるCu-CMPとその加工モデルの提案(H2 加工(CMP-2))
- 研磨砥粒を含まないスラリを用いたＣｕＣＭＰ技術の開発 : −不均一発泡ポリウレタンパッドを用いたＣｕ残渣の低減−
- 酸化膜CMPにおけるマイクロスクラッチ低減の検討 : CMPプロセスにおけるスクラッチの発生要因調査
- 硬質パッドを用いた高平坦化CMP技術の開発 : CMPプロセスにおけるウエーハ面内研磨均一性の改善
- プラナリゼーションCMP技術に関わる最近の動向 (特集 砥粒(研削・研磨)加工技術)
- 流体工学
- 高圧マイクロジェットの洗浄力に関する研究 : —ノズル形状の違いが洗浄力に与える影響—
- H14 有機EL材料の噴霧とその平坦化に関する検討(H1 加工(CMP-1))
- スプレー式洗浄の粒子解析と洗浄力に関する考察 : ―二流体スプレーと高圧マイクロジェットの洗浄力比較―
- 21106 電解複合CMPにおける加工レートと電解液充填率との関係(プロセス技術,OS.3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体,MEMS,NEMS))
- H22 加工環境コントロールによるシリコンの加工に関する研究(H2 加工(CMP-2))
- CMP技術の来し方行く末(3.1 各分野の現状,3.精密工学の今,創立75周年記念)
- CMP平坦化加工技術の最新動向 (特集 CMP平坦化技術/極薄ウェハ加工の最新動向)
- 3122 歯車偏心と端面振れを考慮したかみ合い伝達誤差解析(S34-1 伝動装置の基礎と応用(1) 歯車の伝達誤差と振動,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
- 2208 かみ合い伝達誤差における大きな振幅変調指数の可能性(歯車の設計・性能評価,一般講演)
- H45 高強度球状黒鉛鋳鉄歯車の面圧強さに関する基礎研究 : 面圧強さに及ぼす銅の影響(H4 機素潤滑設計2)
- H44 偏心歯車のかみ合い伝達誤差における振幅変調量の実験的同定(H4 機素潤滑設計2)
- 加工環境を制御するベルジャー型密閉研磨装置による高能率CMP技術
- 超精密加工技術としてのCMP技術とその応用分野 (特集 「超」のつく技術)
- 超精密ポリシングとCMP技術の進歩--平坦化CMPの半導体LSIプロセスへの適用 (特集欄 超精密マイクロ・ナノ機械加工) -- (研磨加工)
- 次世代多層配線プロセスとCMP技術の動向 (特集 半導体平坦化CMP技術)
- パッド表面を基準面とするドレッシング技術の開発 : —フレキシブルファイバードレッサーとドレッシング均一性評価の開発—
- ホブ切り過渡現象の観察と切りくず生成機構の解明 : 第4報,舞いツール基礎試験における切りくず生成時の形態とかみ込みの関係(機械要素,潤滑,工作,生産管理など)
- I12 ホブ切りにおける生成切りくずの歯面かみ込みに関する基礎研究 : 圧縮空気を受ける生成切りくずの挙動(I1 加工・生産システム1(マイクロ技術の高度化))
- 5143 ホブ切りにおける生成切りくずの歯面かみ込みに関する基礎研究(S63-9 製造・加工・開発,S63 伝動装置の基礎と応用)
- I15 凹部を有する微小機械要素の精度計測のためのナノマシニング : 微小径先端を有する探針の試作(I1 加工・生産システム1(マイクロ技術の高度化))
- 西播磨テクノポリスは今(精密工学の最前線) : 播磨科学公園都市に見る
- 103 長寿命域におけるオーステンパ処理球状黒鉛鋳鉄(ADI)の面圧強さに関する基礎研究 : き裂の発生から損傷に到るまでの進展過程の観察および疲労限予測(OS02-1 歯車の強度I)
- CMPにおける高圧マイクロジェットによる不織布系パッドの非破壊コンディショニング
- 液面での気泡崩壊に伴う液滴噴出現象を利用した小径球状粒子製造の試み
- 5-337 機械系学科設計製図における創造的設計の試み : その2 携帯用ページ捲り機の設計・製図・製作(オーガナイズドセッション「ものつくり実践教育」-III)
- 501 高強度球状黒鉛鋳鉄の面圧強さに関する研究(GS 機素潤滑設計・機器設計(その1))
- 超精密研磨/CMP技術とその最新動向(その2) : 最新のCMP技術とトライボケミカル応用
- 超精密研磨/CMP技術とその最新動向(その1) : 研磨の発展経緯と加工原理
- 磨製出土品における砥粒加工技術 : 翡翠を用いた勾玉とその製作工程
- 502 負荷時での歯車偏心がかみ合い伝達誤差に与える影響(GS 機素潤滑設計・機器設計(その1))
- ＣｕＣＭＰプロセスに起因した銅残渣発生の研究 : −配線間の銅残渣の低減−
- 2931 歯車端面振れのかみ合い伝達誤差への影響(S57-3 歯車の振動・騒音,S57 伝動装置の基礎と応用)
- インボリュート円筒歯車の偏心を考慮したかみ合い伝達誤差解析 : 偏心を伴う歯車かみ合い伝達誤差厳密解の導出(機械要素,潤滑,工作,生産管理など)
- 化学機械研磨(CMP)と研磨剤
- 酸化セリウムとその代替を目指す酸化マンガン系スラリーによるガラス基板の研磨特性とその加工メカニズム
- 313 歯車偏心がかみ合い周波数のサイドバンドに与える影響(OS05-1 歯車の検査I)
- タングステンCMPスラリーのリサイクルに関する基礎的研究
- H02 微小モジュール歯車の歯面トポグラフィ計測 : 歯科用印象材を用いた非破壊測定(H0 機素潤滑設計1)
- 315 三次元歯面形状誤差の大局的パラメータ抽出とそれによる表現の意味(OS05-1 歯車の検査I)
- 5130 歯車偏心がかみ合い周波数におよぼす振幅変調の影響(S63-6 振動(2),S63 伝動装置の基礎と応用)
- 歯車の負荷時高精度かみあい伝達誤差測定に関する研究
- 1212 大局的形状パラメータを用いた三次元歯面修整の新しい評価法(OS1-3 振動(1))
- 半導体CMP/平坦化技術とその最新動向 (特集 CMP/平坦化技術の最新動向)
- 1601 半導体用シリコン・ウェーハの力学的課題(基調講演,OS16.シリコン強度とシミュレーション,オーガナイズドセッション)
- 化学機械研磨(CMP)と研磨剤(教科書から一歩進んだ身近な製品の化学)
- 20306 ECMPの研磨圧力依存性シミュレーション(OS3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS)(2),オーガナイズドセッション)
- 315 加工環境制御型密閉式両面CMP装置の設計試作とその加工特性(GS 生産加工II)
- 320 CMP用パッドのコンディショニング特性の定量的評価法とその考察(GS 生産加工III)
- 317 CMP用フュームドシリカスラリー調整条件とスクラッチ欠陥発生との相関関係(GS 生産加工III)
- 316 密閉型CMPシステムによる二酸化炭素を利用したCu-CMP(GS 生産加工II)
- 314 スプレーコーティングによる平坦有機薄膜の製造に関する研究(GS 生産加工II)
- 310 Si単結晶の各種結晶方位面のCMP加工特性とPoly-Si基板の超精密平坦化CMPの検討(GS 生産加工I)
- 308 SiC基板の精密加工/CMPプロセスへの酸化マンガン系スラリーの適用(GS 生産加工I)
- 7・4・3 真空ポンプ(7.4 空気機械)
- 114 ダイレクトドライブCNC座標測定機の開発(GS 潤滑I)
- 小径穴加工のポイント (特集 現場で役立つ! 穴加工の基礎のきそ)
- 加工環境コントロール型CMP装置によるガラス基板の研磨特性 : CeOスラリー使用量の低減を指向した加工雰囲気の効果
- 半導体産業を取り巻く技術課題と今後の展望