檜山 浩國 | 荏原製作所

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概要

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関連著者

• 檜山 浩國

  荏原製作所

• 檜山 浩國

  (株)荏原製作所

• 福田 明

  (株)荏原製作所

• 辻村 学

  (株)荏原製作所

• 福永 明

  荏原

• 福田 明

  豊橋技科大・院

• 辻村 学

  荏原

• 福田 哲生

  富士通マイクロエレクトロニクス(株)

• 黒河 周平

  九州大学大学院工学研究院

• 土肥 俊郎

  埼玉大学教育学部

• 土肥 俊郎

  九州大学大学院

• 土肥 俊郎

  九州大学大学院工学研究院

• 福田 明

  荏原総研

• 檜山 浩國

  荏原総研

• 望月 宣宏

  (株)荏原総合研究所

• 黒河 周平

  九大

• 辻村 学

  荏原製作所

• 廣川 一人

  (株)荏原製作所

• 福永 明

  荏原製作所

• 土肥 俊郎

  九州大学

• 辻村 学

  株式会社荏原製作所精密・電子事業本部

• 黒河 周平

  九州大学 大学院工学研究院

• 土肥 俊郎

  九大 大学院工学研究院

• 福田 明

  荏原製作所

• 黒河 周平

  九州大学大学院

• 黒河 周平

  九州大学

• 大西 修

  九州大学大学院工学研究院

• 當間 康

  (株)荏原総合研究所

• 柴田 英毅

  (株)東芝セミコンダクター社

• 廣川 一人

  荏原製作所

• 小寺 雅子

  (株)東芝セミコンダクター社

• 當間 康

  荏原総研

• 鈴木 作

  荏原総研

• 小寺 章

  荏原総研

• 柴田 英毅

  (株)東芝 プロセス技術研究所

• 天谷 賢児

  群馬大

• 福田 哲生

  富士通

• 中村 弘志

  荏原製作所

• 黒河 周平

  九大 大学院工学研究院

• 大西 修

  九州大学大学院

• 栗原 崇悦

  群馬大

• 檜山 浩国

  (株)荏原総合研究所

• 王 新明

  荏原総研

• 望月 宣宏

  荏原総研

• 下山 正

  (株)荏原総合研究所

• 福田 哲生

  富士通(株)

• 福田 哲生

  JEITA

• 小寺 雅子

  (株)荏原製作所

• 植草 新一郎

  明治大学理工学部

• 徳重 克彦

  (株)荏原製作所

• 福永 明

  (株)荏原製作所

• 松尾 尚典

  (株)荏原総合研究所

• 太田 正廣

  東京都立大学大学院

• 福田 明

  荏原総合研究所

• 檜山 浩國

  荏原総合研究所

• 當間 康

  荏原総合研究所

• 小寺 雅子

  (株)東芝

• 太田 正廣

  東京都立大学

• 植草 新一郎

  明治大学理工学部電気電子工学科

• 鈴木 作

  荏原総合研究所

• 徳重 克彦

  荏原製作所

• 松本 和樹

  群馬大工・学

• 大西 修

  九州大学 大学院工学研究院

• 當間 康

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• 鈴木 作

  荏原

• 小寺 章

  荏原

• 福田 明

  荏原:九州大学院

• 大西 修

  九州大学

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  荏原製作所

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  群馬大

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  群馬大院

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  群馬大院

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  荏原

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著作論文

• STI-CMP性能に及ぼすウェーハエッジ形状の影響 : FEM解析を用いたウェーハ面圧分布計算による考察(機械要素,潤滑,設計,生産加工,生産システムなど)
• シリコンウェーハ製造研磨におけるウェーハエッジ形状の影響評価
• 半導体デバイスと平坦化加工技術の動向と今後の展開(半導体デバイスの平坦化技術)
• 21706 CMPによる絶縁膜残留応力変化の有限要素法解析(配線2,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 21703 CMP加工精度が実効誘電率(k_)に与える影響(配線1,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• CMPにおけるウェーハエッジロールオフの影響(機械要素,潤滑,工作,生産管理など)
• 20115 CMP中のLow-k材料界面に作用する応力解析(機械工学が支援する先端デバイス評価技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 20114 フラッシュランプアニールの熱応力解析(機械工学が支援する先端デバイス評価技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 20101 機械工学が支援できる最先端デバイス(1) : Cu/low-k配線構造のCMPプロセスにおける有限要素法応力解析(機械工学が支援する半導体製造技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• CMPにおけるウェーハエッジロールオフの影響
• 20705 ダマシン構造におけるvia部最大応力の有限要素法解析(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
• 20704 STI-CMPに及ぼすナノトポグラフィの影響解析 : スラリ選択比に対する許容段差の定量的評価(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
• 20703 Cu/porous low-k構造におけるCMP中の応力解析(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
• CMPに与える表面トポグラフィーの影響解析
• 21413 シリコンウェーバ製造時の研磨におけるウェーハエッジ形状の影響(CMP,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
• 21106 電解複合CMPにおける加工レートと電解液充填率との関係(プロセス技術,OS.3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体,MEMS,NEMS))
• 20306 ECMPの研磨圧力依存性シミュレーション(OS3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS)(2),オーガナイズドセッション)
• 102 CMPの洗浄工程における液膜挙動の基礎的研究(OS2-1 熱および流体力学1)
• 220406 CMP工程で見られるウォーターマーク形成に関する基礎的研究(OS16 東京ブロック・山梨ブロック共同企画 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS)2(研磨プロセス),オーガナイズド・セッション)
• 103 シリコンウェーハ上の液滴蒸発過程の観察(OS2-1 熱および流体力学1)

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