辻村 学 | 株式会社荏原製作所精密・電子事業本部
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概要
関連著者
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辻村 学
株式会社荏原製作所精密・電子事業本部
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辻村 学
(株)荏原製作所
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辻村 学
荏原
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福永 明
荏原
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辻村 学
荏原製作所
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福永 明
荏原製作所
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辻村 学
株式会社荏原製作所
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嶋 昇平
荏原製作所
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徳重 克彦
荏原製作所
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檜山 浩國
(株)荏原製作所
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福田 哲生
富士通マイクロエレクトロニクス(株)
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荏原
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荏原
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(株)荏原製作所
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九州大学大学院工学研究院
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九州大学大学院工学研究院
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井上 裕章
株式会社荏原製作所精密・電子事業本部
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(株)荏原総合研究所
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埼玉大学教育学部
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福永 明
(株)荏原製作所
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當間 康
荏原総研
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鈴木 作
荏原総研
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當間 康
荏原総合研究所
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宮田 雅弘
株式会社東芝セミコンダクター社半導体プロセス開発第5部
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江澤 弘和
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第五部
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中田 勉
株式会社荏原製作所
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黒河 周平
九大
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倉科 敬一
株式会社荏原製作所
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福田 明
豊橋技科大・院
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江澤 弘和
株式会社東芝セミコンダクター社フロセス技術推進センター半導体フロセス開発第五部
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小畠 巌貴
大阪大学大学院工学研究科
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土肥 俊郎
九州大学大学院
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荏原製作所
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(株)東芝セミコンダクター社
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明治大学理工学部
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徳重 克彦
荏原
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小寺 章
荏原総研
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西岡 由紀子
(株)荏原製作所開発センター
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植草 新一郎
明治大学理工学部電気電子工学科
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黒河 周平
九州大学大学院
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佐野 泰久
阪大院工
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山内 和人
阪大院工
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大西 修
九州大学大学院工学研究院
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小畠 厳貴
(株)荏原製作所
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土肥 俊郎
九州大学
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福田 明
荏原総研
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檜山 浩國
荏原総研
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小寺 雅子
(株)荏原製作所
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徳重 克彦
(株)荏原製作所
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太田 正廣
東京都立大学大学院
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野路 郁太郎
(株)荏原製作所精密・電子事業本部
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安田 穂積
(株)荏原製作所精密・電子事業本部
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飯泉 健
(株)荏原製作所精密・電子事業本部
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粂川 正行
(株)荏原製作所精密・電子事業本部
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和田 雄高
(株)荏原製作所精密・電子事業本部
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鈴木 作
(株)荏原総合研究所
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斎藤 孝行
(株)荏原総合研究所
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佐野 泰久
大阪大 大学院工学研究科
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田中 義嗣
東京エレクトロン株式会社
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嶋 昇平
(株)荏原製作所
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前川 薫
東京エレクトロン(株)
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株式会社荏原製作所
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本間 荘一
株式会社東芝セミコンダクター社半導体組立要素技術部
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徳岡 剛
株式会社荏原製作所精密・電子事業本部
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株式会社荏原製作所精密・電子事業本部
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須崎 明
株式会社荏原製作所
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永野 秀和
(株)荏原製作所開発センター
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井上 辰雄
(株)荏原製作所開発センター
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永井 洋之
東京エレクトロンAT株式会社プロセスインテグレーションセンター
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小寺 雅子
明治大学理工学部電気電子工学科
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皆川 澄人
明治大学理工学部電気電子工学科
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西岡 由紀子
株式会社荏原製作所精密電子事業本部開発センター
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福永 明
株式会社荏原製作所精密電子事業本部開発センター
-
太田 正廣
東京都立大学
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田中 義嗣
東京エレクトロンat株式会社プロセスインテグレーションセンター
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福永 明
株式会社荏原製作所
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西岡 由紀子
(株)荏原製作所精密・電子事業本部
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嶺 潤子
株式会社荏原製作所
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神田 裕之
株式会社荏原製作所
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山内 和人
阪大工
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佐野 泰久
大阪大学大学院工学研究科
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福田 哲生
富士通
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黒河 周平
九州大学 大学院工学研究院
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大田 真朗
(株)荏原製作所
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前川 薫
東京エレクトロンat株式会社プロセスインテグレーションセンター
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土肥 俊郎
九大 大学院工学研究院
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和田 雄高
(株)荏原総合研究所
-
井上 辰雄
(株)荏原製作所 精密・電子事業本部第一開発センター
-
和田 雄高
荏原製作所
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黒河 周平
九大 大学院工学研究院
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大西 修
九州大学大学院
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山内 和人
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専
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山内 和人
大阪大学大学院 工学研究科
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八木 圭太
(株)荏原製作所精密・電子事業カンパニーCMP事業部CMPプロセス室プロセス開発グループ
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辻村 学
(株)荏原製作所精密・電子事業カンパニー
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佐野 泰久
大阪大学大学院工学研究科精密科学応用物理学専攻攻
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黒河 周平
九州大学
著作論文
- STI-CMP性能に及ぼすウェーハエッジ形状の影響 : FEM解析を用いたウェーハ面圧分布計算による考察(機械要素,潤滑,設計,生産加工,生産システムなど)
- シリコンウェーハ製造研磨におけるウェーハエッジ形状の影響評価
- 21710 次世代平坦化技術の比較(平坦化,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- 超純水電解加工(超純水のみによる電気化学的加工方法)のCuダマシン平坦化プロセスへの適用開発
- 21413 シリコンウェーバ製造時の研磨におけるウェーハエッジ形状の影響(CMP,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
- In-situ電気化学的評価によるCMPスラリーと配線用金属との表面反応の評価及び表面層の物性評価
- 金属配線CMPスラリー各成分の in-situ 電気化学評価
- 21708 In-situ評価手法によるCMPスラリーおよび後処理液とCuとの表面反応の電気化学的評価(配線2,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- 電解めっきを用いた ULSI 多層 Ag 配線
- 2-Step めっき法による Sn-Ag はんだバンプ形成プロセス
- 銀多層配線の保護層としての無電解 Ni-B めっき
- Cu/low-k構造デバイスのCMP後洗浄プロセスの開発(機構デバイス)
- Cu CMP後のCu表面解析
- 21103 スラリー各成分がCu表面層の機械的特性に及ぼす影響の定量的評価(微細計測技術,OS.3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体,MEMS,NEMS))
- 21412 CMPスラリーによるCu表面反応層の機械的特性のAFMを用いた評価(CMP,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
- 21414 電解複合研磨(ECMP)によるCuクリアプロセスの検討(CMP,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
- 21404 高抵抗基板上へのダイレクトCuめっきプロセス検討(デバイス&配線技術1,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
- 21707 CMPコスト削減のためのCuめっきの平坦化技術(配線2,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- CMPコスト削減のための銅配線めっきの平坦化技術
- 研磨
- 32nm世代用CMP装置 : CoO/CoCベスト
- 多層配線デバイス製造を支える最新のCMP平坦化技術(半導体デバイスの平坦化技術)
- 21714 酸化膜CMP用光学式終点検出モニター(薄膜・計測,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- CMP中のlow-k材料界面のはく離可能性の予測方法
- 20304 純粋の溶存酸素量と導電率がCu腐食に与える影響の定量的評価(OS3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS)(2),オーガナイズドセッション)
- 半導体SiC基板の新しい研磨技術 : 触媒表面反応を利用した研磨技術の開発(話題の材料を活かす加工技術)