21710 次世代平坦化技術の比較(平坦化,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
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概要
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Polishing performances of mC^2 (low down force CMP), ECP-DI (Electro-Chemical Polishing in DI water) and ECP-C (Electro-Chemical Polishing in Chemical) are compared as a candidate of planarization technology for the next generation. Each planarization technology shows high removal rate under the low down force condition and excellent planarization performance. However, Dishing increases rapidly in ECP-DI and ECP-C after Cu Clear because of electro-chemical etching. In our experimental data, mC^2 is superior to ECP-DI and ECP-C for polishing performance. In addition, ECP-DI has large advantage for CoC, because ECP-DI doesn't basically use any chemical.
- 社団法人日本機械学会の論文
- 2007-03-15
著者
-
小畠 厳貴
荏原
-
辻村 学
(株)荏原製作所
-
當間 康
(株)荏原総合研究所
-
辻村 学
株式会社荏原製作所精密・電子事業本部
-
辻村 学
荏原製作所
-
和田 雄高
荏原
-
徳重 克彦
荏原
-
福永 明
荏原
-
當間 康
荏原総研
-
鈴木 作
荏原総研
-
小寺 章
荏原総研
-
福永 明
荏原製作所
-
當間 康
荏原総合研究所
-
徳重 克彦
荏原製作所
-
小畠 巌貴
大阪大学大学院工学研究科
-
辻村 学
荏原
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