21404 高抵抗基板上へのダイレクトCuめっきプロセス検討(デバイス&配線技術1,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
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概要
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Sigificant reduction of liner thickness for Cu electroplating in advancing technology node are required, so the discontinuity of thin Cu seed causes voids into interconects filled with Cu electroplating. Ru has been investigated as one of continuous liner materials, but high sheet resisitance of Ru liner causes inferior wafer uniformity of Cu electroplating thickness because of terminal effect. Therefore, high resistive element (HRE), which is optimized by simulation, arranges between a cathode and an anode to mitigrate terminal effect and Cu electroplating forms on Ru liner which has about 250 Ω/sq sheet resistance. Wafer uniformity of Cu electroplating thickness on Ru liner is equal to wafer uniformity on Cu seed which has 0.6 Ω/sq sheet resistance. In this paper, superior wafer uniformity of direct Cu plating on high resistive substrate is shown and discussed.
- 社団法人日本機械学会の論文
- 2008-03-13
著者
-
辻村 学
(株)荏原製作所
-
辻村 学
株式会社荏原製作所
-
辻村 学
株式会社荏原製作所精密・電子事業本部
-
山本 暁
株式会社荏原製作所
-
須崎 明
株式会社荏原製作所
-
中田 勉
株式会社荏原製作所
-
嶺 潤子
株式会社荏原製作所
-
神田 裕之
株式会社荏原製作所
-
倉科 敬一
株式会社荏原製作所
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