21116 高抵抗基板上へのダイレクトCuめっきプロセス検討(配線技術,OS.3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体,MEMS,NEMS))
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概要
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Sigificant reduction of liner thickness for Cu electroplating in advancing LSI interconnection technology is required, so that direct Cu electroplating on Ru liner is investigated to replace the present Cu electroplating on Cu seed. More rapid aging of Ru liner than Cu seed causes larger roughness on plating without pretreatment. We studied Ru surface condition, Cu/Ru interface and Cu plating surface, found that there are <10nm voids on Cu/Ru interface that causes large roughness on plating. An electrochemical pretreatment, which is superior for processing time and coc, was done and resulted in good trench filling of 80nm line width.
- 社団法人日本機械学会の論文
- 2009-03-05
著者
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