銀多層配線の保護層としての無電解 Ni-B めっき
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概要
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Cu metal and low k materials have been proposed as metallization process to reduce RC delay of device. Electro plating was selected for the Cu metallization process due to its better gap-filling capability and lower cost. However, electoless plating is nominated for cap material deposition process since its plating results in selective deposition on metal. It is herein reported that Ni-B deposited by electroless plating can be suitable for cap material on Ag, which is nominated as metal after Cu. As a result, it has been confirmed that Ni-B by electrolesss plating with DMAB has the barrier effect against Ag, and has selectivity only on Ag with good deposition rates.
- 社団法人エレクトロニクス実装学会の論文
- 2002-01-01
著者
-
井上 裕章
株式会社荏原製作所精密・電子事業本部
-
辻村 学
株式会社荏原製作所
-
辻村 学
株式会社荏原製作所精密・電子事業本部
-
太田 正廣
東京都立大学大学院
-
宮田 雅弘
株式会社東芝セミコンダクター社半導体プロセス開発第5部
-
江澤 弘和
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第五部
-
太田 正廣
東京都立大学
-
江澤 弘和
株式会社東芝セミコンダクター社フロセス技術推進センター半導体フロセス開発第五部
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