2-Step めっき法による Sn-Ag はんだバンプ形成プロセス

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概要

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• The eutectic Sn-3.5wt.%Ag solder alloy is expected to be one of the candidates for Pb-free solder bump materials. But it is difficult for the conventional Sn-Ag alloy plating method to obtain eutectic composition with good uniformity within wafer, and to control the composition of plating solution for long term product run. Therefore, we have developed the 2-step electroplating bump process using separate plating reactors for Ag and Sn. The eutectic Sn-Ag alloy bumps were easily obtained by annealing the Ag/Sn metal stacks sequentially electroplated. It is easy to control the Sn-Ag alloy composition by changing the thickness ratio of Ag layer to Sn layer in an Ag/Sn metal stack. Furthermore, the 2-step electroplating bump process does not need to control the content ratio of Ag to Sn in a plating solution. The eutectic Sn-Ag solder bump process described here is confirmed to be easily applied to mass production.

• 社団法人エレクトロニクス実装学会の論文
• 2002-03-01

著者

• 井上 裕章

  株式会社荏原製作所精密・電子事業本部

• 辻村 学

  株式会社荏原製作所

• 辻村 学

  株式会社荏原製作所精密・電子事業本部

• 宮田 雅弘

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体プロセス開発第5部

• 江澤 弘和

  株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第五部

• 本間 荘一

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体組立要素技術部

• 徳岡 剛

  株式会社荏原製作所精密・電子事業本部

• 吉岡 潤一郎

  株式会社荏原製作所精密・電子事業本部

• 江澤 弘和

  株式会社東芝セミコンダクター社フロセス技術推進センター半導体フロセス開発第五部

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