ウェハーバンプ形成技術
スポンサーリンク
概要
著者
-
本間 荘一
株式会社東芝セミコンダクター社半導体組立要素技術部
-
吉岡 潤一郎
株式会社荏原製作所精密・電子事業本部
-
蛭田 陽一
(株)東芝 半導体事業本部 半導体組立技術部 組立技術開発担当
-
本間 荘一
(株)東芝 半導体デバイス技術研究所
-
蛭田 陽一
(株)東芝 半導体生産技術推進センター
-
吉岡 潤一郎
(株)荏原製作所 精密・電子事業本部
関連論文
- 2-Step めっき法による Sn-Ag はんだバンプ形成プロセス
- フリップチップパッケージにおけるリフロー信頼性
- 酸性溶液でのニッケル-はんだ(鉛/スズ)選択エッチング技術
- はんだバンプのバリアメタルに及ぼす酸素の影響
- 高精度はんだバンプ形成用電気めっき装置の開発
- 成膜方法とはんだバンプ用銅バリアメタルの評価
- はんだバンプにおける銅バリアメタルの信頼性
- はんだバンプのバリアメタル構造評価
- CSP,BGA等最新パッケイジ技術の現状と問題点
- WO_3/MoO_3混合膜の吸収スペクトル
- Snメッキ三層TABテープにおけるイオン・マイグレーションのメカニズム検証
- SnめっきTCPのハンダ濡れ性に対する高温高湿放置の影響
- バンプめっき装置 (半導体製造関連製品小特集)
- リードフレーム・パッケージにおける同時スイッチング・ノイズ
- ウェハーバンプ形成技術
- パッケージ技術から見た高性能化,小型化への技術の現状と将来
- インダクタンス計算による△Iノイズの特性検討