Snメッキ三層TABテープにおけるイオン・マイグレーションのメカニズム検証

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概要

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• TAB (Tape Automated Bonding)は微細接続を可能にし、チップサイズの縮小化及びパッケージの多ピン化、簿型化に対応できる接続技術である。TABリードの微細ピッチ化に伴い、イオン・マイグレーションに起因した絶縁信頼性の検討が重要になってきている。今回はSnメッキ三層TABテープを高温バイアス試験後、電子線マイクロアナライザー(EPMA: Electron Probe Microanalysis)にて分析を行った結果について報告する。TABリードにメッキされているSnが高温で接着剤中に溶出し、イオン・マイグレーションを引き起こす要因となっていることを明らかにした。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1995-12-15

著者

• 田澤 浩

  (株)東芝 半導体デバイス技術研究所

• 田窪 知章

  (株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 蛭田 陽一

  (株)東芝 半導体事業本部 半導体組立技術部 組立技術開発担当

• 須藤 俊夫

  (株)東芝 半導体デバイス技術研究所

• 柴崎 康司

  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

• 細美 英一

  (株)東芝 半導体デバイス技術研究所

• 池水 守彦

  (株)東芝 半導体生産技術推進センター

• 田窪 知章

  (株)東芝 半導体デバイス技術研究所

• 蛭田 陽一

  (株)東芝 半導体生産技術推進センター

• 須藤 俊夫

  (株)東芝

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