シリコンインターポーザー高密度実装技術

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概要

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狭ピッチ、多ピン化するFC-BGAパッケージの接続信頼性を確保するには、Siチップとプラスチック基板の間の熱膨張係数(CTE)差による応力を緩和することが必要である。その解決策として、Siでできたインターポーザーを開発した。Siインターポーザーは低抵抗Cuと低誘電率絶縁膜からなる配線と、Siチップと基板とをダイレクトにつなぐスループラグを有しており、作製プロセスにおいては新たに開発したSiの高速エッチング技術と、感光性ポリイミド/Cuダマシン配線技術を用いた。10μmピッチの微細配線の電気特性は、周波数1GHz時のロスが0.18dB/mmであり、配線遅延が8.5psec/mmであった。すなわち、Siインターポーザー技術は将来の高速・高密度実装技術にとって効果的である。
社団法人電子情報通信学会の論文
2000-11-30

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