多層パッケージにおけるSSN特性と実効インダクタンスに関するモデル化技術

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概要

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多くの入出力ピンを高速なクロックで動作させる最先端の半導体集積回路の出現により、半導体パッケージの電気的な特性がさらに重要になっている。そのため、パッケージの設計段階や試作前において、様々な形態/条件のパッケージの電気的な特性の予測/検討を効率的に行なえることが重要である。本報告では、そのパッケージの電気的な特性を検討するための基準となる手法として、デバイスのsignal :power/groundペア比をもとにしたパッケージのモデル化技術について、実効インダクタンスを主体に説明を行なう。また、多層パッケージのボンティングワイアやプレーン導体などの各領域における実効インダクタンスと、同時スイッチングノイズの関係を明確にし、その同時スイッチングノイズを改善する場合について考察している。
1995-12-15

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