インダクタンス計算による△Iノイズの特性検討

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概要

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半導体デバイスの高速化・多ビット化に伴い、同時スイッチング・ノイズ(△Iノイズ)の問題が顕在化している。△Iノイズは、電源系の基準電位を変動させるため誤動作の原因となる。デバイスの動作状態と発生する△Iノイズの関係を明らかにするため、テスト・デバイスを製作し、△Iノイズを評価した。△Iノイズは出力バッファのスイッチング数に依存し、同相信号出力時に最もノイズが大きいことが分かった。また、電磁界解析により、デバイスの動作状態で積層パッケージの実効インダクタンス(Leff)が変化することが明らかになった。この結果より、△Iノイズのスイッチング数依存性およびスイッチング状態依存性は、実効インダクタンスの変化として説明できる。
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-12-16

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