21414 電解複合研磨(ECMP)によるCuクリアプロセスの検討(CMP,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)

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概要

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• In this paper, polishing performance of ECP-C, which is a kind of ECMP(Electro-Chemical Mechanical Polishing), at Cu clear process is discribed. After Cu clear, it was found that erosion was below 10nm and Cu residue was not observed. However, it was also found that dishing was over 100nm and it significantly increased with over polish time. This increase is assumed of electrochemical ething due to low electrical insulation property of Cu complex formed in ECP-C. Therefore, it is considered that the improvement in electrical insulation property is necessary for applying ECP-C to Cu clear process.

• 社団法人日本機械学会の論文
• 2008-03-13

著者

• 小畠 厳貴

  荏原

• 辻村 学

  (株)荏原製作所

• 當間 康

  (株)荏原総合研究所

• 辻村 学

  株式会社荏原製作所精密・電子事業本部

• 辻村 学

  荏原製作所

• 和田 雄高

  荏原

• 徳重 克彦

  荏原

• 當間 康

  荏原総研

• 鈴木 作

  荏原総研

• 小寺 章

  荏原総研

• 當間 康

  荏原総合研究所

• 徳重 克彦

  荏原製作所

• 小畠 巌貴

  大阪大学大学院工学研究科

• 辻村 学

  荏原

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