キャビテーションの半導体精密洗浄への応用

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本ウォ-タ-ジェット学会の論文

著者

• 辻村 学

  (株)荏原製作所

関連論文

• STI-CMP性能に及ぼすウェーハエッジ形状の影響 : FEM解析を用いたウェーハ面圧分布計算による考察(機械要素,潤滑,設計,生産加工,生産システムなど)
• シリコンウェーハ製造研磨におけるウェーハエッジ形状の影響評価
• 21706 CMPによる絶縁膜残留応力変化の有限要素法解析(配線2,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 21703 CMP加工精度が実効誘電率(k_)に与える影響(配線1,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• CMPにおけるウェーハエッジロールオフの影響(機械要素,潤滑,工作,生産管理など)
• 20115 CMP中のLow-k材料界面に作用する応力解析(機械工学が支援する先端デバイス評価技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 20114 フラッシュランプアニールの熱応力解析(機械工学が支援する先端デバイス評価技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 20101 機械工学が支援できる最先端デバイス(1) : Cu/low-k配線構造のCMPプロセスにおける有限要素法応力解析(機械工学が支援する半導体製造技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 20705 ダマシン構造におけるvia部最大応力の有限要素法解析(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
• 20704 STI-CMPに及ぼすナノトポグラフィの影響解析 : スラリ選択比に対する許容段差の定量的評価(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
• 20703 Cu/porous low-k構造におけるCMP中の応力解析(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
• CMPに与える表面トポグラフィーの影響解析
• CMP性能に及ぼすプロセスパラメータの影響
• STIプロセスに及ぼすCMP平坦化性能の解析
• キャビテーションジョットを用いた半導体表面洗浄法の開発 : 流体工学, 流体機械
• 627 キャビテーションジョットを用いた半導体表面洗浄法の開発
• 21710 次世代平坦化技術の比較(平坦化,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 超純水電解加工(超純水のみによる電気化学的加工方法)のCuダマシン平坦化プロセスへの適用開発
• 21413 シリコンウェーバ製造時の研磨におけるウェーハエッジ形状の影響(CMP,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
• In-situ電気化学的評価によるCMPスラリーと配線用金属との表面反応の評価及び表面層の物性評価
• 金属配線CMPスラリー各成分の in-situ 電気化学評価
• 21708 In-situ評価手法によるCMPスラリーおよび後処理液とCuとの表面反応の電気化学的評価(配線2,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 第1回環太平洋プラナリゼーションCMPとその応用技術に関する国際会議2004
• Cu/low-k構造デバイスのCMP後洗浄プロセスの開発(機構デバイス)
• Cu CMP後のCu表面解析
• 21103 スラリー各成分がCu表面層の機械的特性に及ぼす影響の定量的評価(微細計測技術,OS.3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体,MEMS,NEMS))
• 21412 CMPスラリーによるCu表面反応層の機械的特性のAFMを用いた評価(CMP,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
• 21414 電解複合研磨(ECMP)によるCuクリアプロセスの検討(CMP,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
• 21712 CMP用研磨パッドの幾何形状のポリッシュプロセスへの影響(平坦化,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 21404 高抵抗基板上へのダイレクトCuめっきプロセス検討(デバイス&配線技術1,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
• STI-CMP性能に及ぼすウェーハエッジ形状の影響 : FEM解析を用いたウェーハ面圧分布計算による考察
• 20702 CMPにおける磁気軸受制御型研磨テーブルの姿勢制御(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
• 21721 親水性膜と疎水膜に対するIPA乾燥効果(流動,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 21707 CMPコスト削減のためのCuめっきの平坦化技術(配線2,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• CMPコスト削減のための銅配線めっきの平坦化技術
• 20104 磁気軸受制御型研磨ヘッドによるCMPの研磨性能向上(機械工学が支援する半導体製造技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 磁気軸受制御型研磨ヘッドによるCMPの均一性向上(機械要素,潤滑,工作,生産管理など)
• 424 磁気軸受制御型研磨ヘッドによる CMP の均一性向上
• F2-4 Red Brick (ITRS)への挑戦(F.2 半導体製造工程は,今何が問題なのか)
• 研磨
• 32nm世代用CMP装置 : CoO/CoCベスト
• 多層配線デバイス製造を支える最新のCMP平坦化技術(半導体デバイスの平坦化技術)
• 21714 酸化膜CMP用光学式終点検出モニター(薄膜・計測,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 20103 高感度・ナノ膜厚検知・CMP用渦電流式終点検出モニター(機械工学が支援する半導体製造技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• ADMETA 2005(15^ Advanced Metallization Conference 2005, Asian Session)(国際会議)
• CMP中のlow-k材料界面のはく離可能性の予測方法
• CMP装置のインプロセスモニタと制御 (全冊特集 300mm/130nm対応の半導体製造装置)
• 300 mm/0.18〜0.13μm世代のCMP技術 (半導体製造関連製品小特集)
• ナノトポグラフィのCMPへの影響
• CMP装置の現状と展望
• 新材料に対応する半導体製造装置・周辺機器 (特集 新材料・新プロセスによる半導体薄膜形成技術--銅配線,Low-k,High-k,CMPの最新動向を探る)
• 130nmテクニカルノード世代のCMP装置「F☆REX+フローティングヘッド」 (特集 CMP技術と関連装置・材料の新展開) -- (各社の最新CMP装置)
• Cu配線向け電解メッキ装置「DMP」 (特集 ミレニアムな半導体製造装置)
• クリ-ンCMPシステム (半導体製造関連製品小特集)
• キャビテーションの半導体精密洗浄への応用
• 荏原製作所 CMP装置「EPO-11/21/22形」 (特集 半導体工場への本格導入始まるCMP技術) -- (CMP装置編)
• CMP装置 (特集「情報化技術と産業機械」)
• 半導体製造装置のガスの流れ解析
• 半導体製造装置からの排ガス処理-1- (真空小特集)
• 20304 純粋の溶存酸素量と導電率がCu腐食に与える影響の定量的評価(OS3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS)(2),オーガナイズドセッション)
• 半導体SiC基板の新しい研磨技術 : 触媒表面反応を利用した研磨技術の開発(話題の材料を活かす加工技術)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク