20103 高感度・ナノ膜厚検知・CMP用渦電流式終点検出モニター(機械工学が支援する半導体製造技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
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概要
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Cu-CMP process shifts to high speed/low pressure process. To decrease the polish time and improve the planality of film thickness on wafer, 2 step polish should be required. 2 step polish means that 1st step is high pressure process to decrease the polish time and 2nd step is low pressure process to decrease the dishing and erosion. To solve this problem, we report eddy current EPM that can monitor the change of metal thickness and detect endpoint of CMP.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2006-03-09
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