辻村 学 | (株)荏原製作所
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概要
関連著者
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辻村 学
(株)荏原製作所
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辻村 学
荏原
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辻村 学
株式会社荏原製作所精密・電子事業本部
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檜山 浩國
(株)荏原製作所
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福永 明
荏原
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辻村 学
荏原製作所
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檜山 浩國
荏原製作所
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福永 明
荏原製作所
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福田 明
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福田 明
豊橋技科大・院
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福田 哲生
富士通マイクロエレクトロニクス(株)
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太田 正廣
東京都立大学大学院
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太田 正廣
東京都立大学
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荏原製作所
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嶋 昇平
荏原製作所
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(株)荏原製作所
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荏原総研
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(株)荏原製作所
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荏原
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荏原
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辻村 学
株式会社荏原製作所
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明治大学理工学部
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徳重 克彦
(株)荏原製作所
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當間 康
荏原総研
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鈴木 作
荏原総研
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當間 康
荏原総合研究所
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植草 新一郎
明治大学理工学部電気電子工学科
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株式会社荏原製作所
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黒河 周平
九大
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株式会社荏原製作所
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小畠 巌貴
大阪大学大学院工学研究科
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土肥 俊郎
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九州大学大学院工学研究院
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(株)東芝セミコンダクター社
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廣川 一人
荏原製作所
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小寺 雅子
(株)荏原製作所
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松尾 尚典
(株)荏原総合研究所
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白樫 克彦
(株)荏原製作所
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濱田 聡美
(株)荏原総合研究所
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灘原 壮一
(株)東芝セミコンダクタ社
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徳重 克彦
荏原
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小寺 章
荏原総研
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柴田 英毅
(株)東芝 プロセス技術研究所
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灘原 壮一
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部
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冨田 寛
(株)東芝セミコンダクター社
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西岡 由紀子
(株)荏原製作所開発センター
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福田 哲生
富士通
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大田 真朗
(株)荏原製作所
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黒河 周平
九州大学大学院
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佐野 泰久
阪大院工
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山内 和人
阪大院工
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太田 正廣
関東職業能力開発大学校
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小畠 厳貴
(株)荏原製作所
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土肥 俊郎
九州大学
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土肥 俊郎
九州大学大学院工学研究院知能機械システム部門
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木下 正治
ニッタ・ハース(株)京都工場
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木下 正治
ニッタ・ハース
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望月 宣宏
荏原総研
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下山 正
(株)荏原総合研究所
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富士通(株)
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福田 哲生
JEITA
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(株)荏原製作所
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太田 正博
東京都立大学
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(株)荏原製作所精密・電子事業本部
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安田 穂積
(株)荏原製作所精密・電子事業本部
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飯泉 健
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粂川 正行
(株)荏原製作所精密・電子事業本部
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和田 雄高
(株)荏原製作所精密・電子事業本部
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(株)荏原総合研究所
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(株)荏原総合研究所
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大阪大 大学院工学研究科
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株式会社荏原製作所
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(株)荏原製作所開発センター
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井上 辰雄
(株)荏原製作所開発センター
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永井 洋之
東京エレクトロンAT株式会社プロセスインテグレーションセンター
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小寺 雅子
明治大学理工学部電気電子工学科
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皆川 澄人
明治大学理工学部電気電子工学科
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西岡 由紀子
株式会社荏原製作所精密電子事業本部開発センター
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福永 明
株式会社荏原製作所精密電子事業本部開発センター
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近藤 誠一
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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太田 正廣
首都大学東京 大学院 理工学研究科 機械工学専攻
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深谷 孝一
荏原製作所
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田中 義嗣
東京エレクトロンat株式会社プロセスインテグレーションセンター
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福永 明
株式会社荏原製作所
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西岡 由紀子
(株)荏原製作所精密・電子事業本部
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嶺 潤子
株式会社荏原製作所
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神田 裕之
株式会社荏原製作所
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山内 和人
阪大工
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佐野 泰久
大阪大学大学院工学研究科
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黒河 周平
九州大学 大学院工学研究院
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前川 薫
東京エレクトロンat株式会社プロセスインテグレーションセンター
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土肥 俊郎
九大 大学院工学研究院
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和田 雄高
(株)荏原総合研究所
-
井上 辰雄
(株)荏原製作所 精密・電子事業本部第一開発センター
-
和田 雄高
荏原製作所
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黒河 周平
九大 大学院工学研究院
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大西 修
九州大学大学院
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山内 和人
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専
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山内 和人
大阪大学大学院 工学研究科
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八木 圭太
(株)荏原製作所精密・電子事業カンパニーCMP事業部CMPプロセス室プロセス開発グループ
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辻村 学
(株)荏原製作所精密・電子事業カンパニー
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佐野 泰久
大阪大学大学院工学研究科精密科学応用物理学専攻攻
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黒河 周平
九州大学
著作論文
- STI-CMP性能に及ぼすウェーハエッジ形状の影響 : FEM解析を用いたウェーハ面圧分布計算による考察(機械要素,潤滑,設計,生産加工,生産システムなど)
- シリコンウェーハ製造研磨におけるウェーハエッジ形状の影響評価
- 21706 CMPによる絶縁膜残留応力変化の有限要素法解析(配線2,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- 21703 CMP加工精度が実効誘電率(k_)に与える影響(配線1,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- CMPにおけるウェーハエッジロールオフの影響(機械要素,潤滑,工作,生産管理など)
- 20115 CMP中のLow-k材料界面に作用する応力解析(機械工学が支援する先端デバイス評価技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- 20114 フラッシュランプアニールの熱応力解析(機械工学が支援する先端デバイス評価技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- 20101 機械工学が支援できる最先端デバイス(1) : Cu/low-k配線構造のCMPプロセスにおける有限要素法応力解析(機械工学が支援する半導体製造技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- 20705 ダマシン構造におけるvia部最大応力の有限要素法解析(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
- 20704 STI-CMPに及ぼすナノトポグラフィの影響解析 : スラリ選択比に対する許容段差の定量的評価(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
- 20703 Cu/porous low-k構造におけるCMP中の応力解析(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
- CMPに与える表面トポグラフィーの影響解析
- CMP性能に及ぼすプロセスパラメータの影響
- STIプロセスに及ぼすCMP平坦化性能の解析
- キャビテーションジョットを用いた半導体表面洗浄法の開発 : 流体工学, 流体機械
- 627 キャビテーションジョットを用いた半導体表面洗浄法の開発
- 21710 次世代平坦化技術の比較(平坦化,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- 超純水電解加工(超純水のみによる電気化学的加工方法)のCuダマシン平坦化プロセスへの適用開発
- 21413 シリコンウェーバ製造時の研磨におけるウェーハエッジ形状の影響(CMP,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
- In-situ電気化学的評価によるCMPスラリーと配線用金属との表面反応の評価及び表面層の物性評価
- 金属配線CMPスラリー各成分の in-situ 電気化学評価
- 21708 In-situ評価手法によるCMPスラリーおよび後処理液とCuとの表面反応の電気化学的評価(配線2,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- 第1回環太平洋プラナリゼーションCMPとその応用技術に関する国際会議2004
- Cu/low-k構造デバイスのCMP後洗浄プロセスの開発(機構デバイス)
- Cu CMP後のCu表面解析
- 21103 スラリー各成分がCu表面層の機械的特性に及ぼす影響の定量的評価(微細計測技術,OS.3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体,MEMS,NEMS))
- 21412 CMPスラリーによるCu表面反応層の機械的特性のAFMを用いた評価(CMP,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
- 21414 電解複合研磨(ECMP)によるCuクリアプロセスの検討(CMP,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
- 21712 CMP用研磨パッドの幾何形状のポリッシュプロセスへの影響(平坦化,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- 21404 高抵抗基板上へのダイレクトCuめっきプロセス検討(デバイス&配線技術1,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
- STI-CMP性能に及ぼすウェーハエッジ形状の影響 : FEM解析を用いたウェーハ面圧分布計算による考察
- 20702 CMPにおける磁気軸受制御型研磨テーブルの姿勢制御(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
- 21721 親水性膜と疎水膜に対するIPA乾燥効果(流動,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- 21707 CMPコスト削減のためのCuめっきの平坦化技術(配線2,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- CMPコスト削減のための銅配線めっきの平坦化技術
- 20104 磁気軸受制御型研磨ヘッドによるCMPの研磨性能向上(機械工学が支援する半導体製造技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- 磁気軸受制御型研磨ヘッドによるCMPの均一性向上(機械要素,潤滑,工作,生産管理など)
- 424 磁気軸受制御型研磨ヘッドによる CMP の均一性向上
- F2-4 Red Brick (ITRS)への挑戦(F.2 半導体製造工程は,今何が問題なのか)
- 研磨
- 32nm世代用CMP装置 : CoO/CoCベスト
- 多層配線デバイス製造を支える最新のCMP平坦化技術(半導体デバイスの平坦化技術)
- 21714 酸化膜CMP用光学式終点検出モニター(薄膜・計測,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- 20103 高感度・ナノ膜厚検知・CMP用渦電流式終点検出モニター(機械工学が支援する半導体製造技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- ADMETA 2005(15^ Advanced Metallization Conference 2005, Asian Session)(国際会議)
- CMP中のlow-k材料界面のはく離可能性の予測方法
- CMP装置のインプロセスモニタと制御 (全冊特集 300mm/130nm対応の半導体製造装置)
- 300 mm/0.18〜0.13μm世代のCMP技術 (半導体製造関連製品小特集)
- ナノトポグラフィのCMPへの影響
- CMP装置の現状と展望
- 新材料に対応する半導体製造装置・周辺機器 (特集 新材料・新プロセスによる半導体薄膜形成技術--銅配線,Low-k,High-k,CMPの最新動向を探る)
- 130nmテクニカルノード世代のCMP装置「F☆REX+フローティングヘッド」 (特集 CMP技術と関連装置・材料の新展開) -- (各社の最新CMP装置)
- Cu配線向け電解メッキ装置「DMP」 (特集 ミレニアムな半導体製造装置)
- クリ-ンCMPシステム (半導体製造関連製品小特集)
- キャビテーションの半導体精密洗浄への応用
- 荏原製作所 CMP装置「EPO-11/21/22形」 (特集 半導体工場への本格導入始まるCMP技術) -- (CMP装置編)
- CMP装置 (特集「情報化技術と産業機械」)
- 半導体製造装置のガスの流れ解析
- 半導体製造装置からの排ガス処理-1- (真空小特集)
- 20304 純粋の溶存酸素量と導電率がCu腐食に与える影響の定量的評価(OS3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS)(2),オーガナイズドセッション)
- 半導体SiC基板の新しい研磨技術 : 触媒表面反応を利用した研磨技術の開発(話題の材料を活かす加工技術)