土肥 俊郎 | 埼玉大学教育学部
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概要
関連著者
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土肥 俊郎
埼玉大学教育学部
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土肥 俊郎
九州大学
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土肥 俊郎
埼玉大学 教育学部
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黒河 周平
九大
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黒河 周平
九州大学大学院工学研究院
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河西 敏雄
埼玉大学
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大森 整
理化学研究所
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土肥 俊郎
九州大学大学院工学研究院
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土肥 俊郎
九大
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大西 修
九州大学大学院工学研究院
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池野 順一
埼玉大学
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酒井 謙児
(株)東京精密
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池野 順一
埼玉大学大学院理工学研究科
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河西 敏雄
東京電機大学
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梅崎 洋二
九大
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梅崎 洋二
九州大学工学部
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河西 敏雄
埼玉大
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宮地 計二
旭サナック(株)
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堀尾 健一郎
埼玉大
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松川 洋二
九大
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黒河 周平
九州大学 大学院工学研究院
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清家 善之
旭サナック(株)
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劉 長嶺
理研
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堀尾 健一郎
埼玉大学
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劉 長嶺
理化学研究所
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大森 整
理研
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檜山 浩國
(株)荏原製作所
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河西 敏雄
埼玉大学工学部
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山崎 次男
埼玉大
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伊藤 伸英
茨城大学工学部機械工学科
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林 偉民
理研
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野村 泰朗
埼玉大学教育学部
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池野 順一
埼玉大
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劉 長嶺
埼玉大学
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松尾 政弘
埼玉大学
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福田 明
(株)荏原製作所
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福永 明
荏原
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木下 将毅
埼玉大学
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唐澤 幸彦
(株)カラサワファイン
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山口 壽司
(株)松佳
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福田 明
豊橋技科大・院
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フィリポシアン アラ
Department of Chemical and Environmental Engineering, The University of Arizona
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片柳 宏章
埼玉大学
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伊藤 英伸
茨城大
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伊藤 伸英
茨城大学
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フィリポシアン アラ
Department Of Chemical And Environmental Engineering The University Of Arizona
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林 偉民
秋田県立大学 システム科学技術学部機械知能システム学科
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福田 哲生
富士通マイクロエレクトロニクス(株)
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辻村 学
(株)荏原製作所
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市川 浩一郎
不二越機械工業(株)
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中島 進
埼玉大学教育学部
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ウッディン M.
埼玉大学大学院
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林 偉民
理化学研究所
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戸辺 裕
(株)カラサワファイン
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渡辺 健一
(株)松佳
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齊藤 喜之
埼玉大院
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稲葉 高男
東京精密
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大木 洋太
九大院
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土肥 俊郎
九州大学大学院工学研究院知能機械システム部門
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辻村 学
株式会社荏原製作所精密・電子事業本部
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木下 正治
ニッタ・ハース(株)京都工場
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畝田 道雄
金沢工大
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瀬山 貴司
埼玉大学
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ウッディン M.
埼玉大学
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鈴木 照三
埼玉大学大学院
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河西 敏雄
埼玉大学大学院
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片柳 宏章
埼玉大学教育学部
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松尾 政弘
埼玉大
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小島 勇
東京電機大
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李 暁英
埼玉大学
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佐藤 学
(株)東京精密
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道谷 里美
東京精密
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河野 博之
トクヤマ
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當間 康
(株)荏原総合研究所
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福田 明
荏原総研
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檜山 浩國
荏原総研
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辻村 学
荏原製作所
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當間 康
荏原総研
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鈴木 作
荏原総研
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小寺 章
荏原総研
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木下 正治
(株)東芝生産技術センター
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武野 泰彦
グローバルネット(株)
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小林 義典
旭サナック(株)
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李 考相
Department of Chemical and Environmental Engineering, The University of Arizona
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平尾 篤利
埼玉大
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大野 修平
日本工業大学
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佐々木 哲夫
日本工業大学
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藤牧 由亘
(株)松佳
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斉藤 謙治
(株)カラサワファイン
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唐澤 幸彦
(有)カラサワファイン
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中川 威雄
理化学研究所
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中川 威雄
東大生研
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大野 修平
(株)マルトー
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板谷 知香
埼玉大学工学部
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李 考相
Department Of Chemical And Environmental Engineering The University Of Arizona
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牧野内 昭武
理化学研究所
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山本 幸治
(株)マルトー
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山本 幸治
チューブシステムズ
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松尾 政弘
埼玉大学教育学部
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佐々木 哲夫
日本工業大学工学部機械工学科
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木下 正治
(株)東芝
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伊藤 吾郎
茨城大学
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泉 宏比古
東京精密
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中川 威雄
ファインテック
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松川 洋二
九州大学大学院工学研究院
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小林 義典
旭サナック
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伊藤 吉彦
九大院
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木原 丈晴
九大院
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土肥 俊郎
九州大学 大学院工学研究院
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守安 精
東大生研
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栗塚 和昌
九大院
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渡邉 裕
(独)理化学研究所
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檜山 浩国
(株)荏原総合研究所
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王 新明
荏原総研
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木下 正治
ニッタ・ハース
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福田 明
荏原総合研究所
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檜山 浩國
荏原総合研究所
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中川 威雄
ファインテック(株)
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當間 康
荏原総合研究所
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石川 憲一
金沢工大
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近藤 誠一
半導体先端テクノロジーズ
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春日 博
埼玉大学
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林 偉民
秋田県立大学
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渡邉 裕
独立行政法人理化学研究所
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三島 健捻
埼玉大学
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大森 整
独立行政法人理化学研究所
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山本 浩之
旭サナック(株)
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甘利 昌彦
旭サナック(株)
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土肥 俊郎
埼玉大教育学部
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川島 早由里
旭サナック(株)
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フィリポシアン アラ
Chemical & Environmental Engineering Department, The University of Arizona
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フィリポシアン アラ
The University of Arizona, Chemical & Environment Engineering Dep.
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佐藤 功治
成蹊大学工学部応用化学科
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齋藤 洋司
成蹊大学工学部電気電子学科
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尾崎 義治
成蹊大学工学部応用化学科
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吉田 節夫
東ソー(株)
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荒川 敏彦
東ソー(株)
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中島 進
埼玉県菖蒲中学校
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河西 敏雄
東京電気大学工学部
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牧井 文伸
埼玉大学
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平部 雅明
埼玉大学
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土肥 俊郎
埼玉大学大学院
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池野 順一
埼玉大学大学院
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堀尾 健一郎
埼玉大学大学院
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小林 俊裕
日本ミクロコーティング(株)
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多久 智
日本ミクロコーティング(株)
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泉 敏裕
日本ミクロコーティング(株)
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エィ ミィミィ
埼玉大学
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松澤 隆
池上金型工業(株)
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渡辺 裕
理研
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山形 豊
理化学研究所
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斎藤 謙治
(株)カラサワファイン
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中川 威雄
東京大学生産技術研究所先端素材開発研究センター
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中川 威雄
東大・生産技術研究所
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齋藤 洋司
成蹊大学理工学部
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石橋 浩之
日立化成
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三島 健稔
埼大
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板谷 知香
埼玉大学教育学部
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近藤 誠一
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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石橋 浩之
日立化成工業株式会社
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左光 大和
(株)岡本工作機械製作所
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浅見 宗明
新世代
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小林 昭
Himep研究所
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鈴木 作
荏原総合研究所
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三島 健稔
埼玉大学大学院理工学研究科
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原 徹
法政大学
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山田 洋平
株式会社日立製作所デバイス開発センタ半導体技術開発本部プロセス開発部
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山形 豊
理化学研究所中央研究所
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松澤 隆
池上金型工業株式会社
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松澤 隆
理化学研究所
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平尾 尚武
埼玉大学教育学部
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平尾 尚武
埼玉大学工学部
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大森 宮次郎
新世代
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河西 敏雄
(株)河西研磨技術特別研究室
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大森 整
(独)理化学研究所 中央研究所 素形材工学研究室
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佐々木 元
日本電気(株)
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松下 治
(株)東京精密
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中川 威雄
東大
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原 徹
法政大学工学部
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大森 宮次郎
茨城大学工学部機械工学科
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TOUZOV Mikhail
(株)東京精密
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芦原 雅幸
(株)東京精密
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泉 宏比古
(株)東京精密
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真田 友宏
(株)東京精密
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TOUZOV M.
東京精密
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藤田 隆
東京精密
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西尾 雄次
理化学研究所
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有浦 泰常
九大
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河野 博之
(株)トクヤマ化学技術研究所
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河瀬 康弘
三菱化学株式会社EL薬品事業部
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山口 靖英
三井金属鉱業
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浅見 宗明
新世代(株)
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尾崎 義治
成蹊大学理工学部物質生命理工学科
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福田 哲生
富士通
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三島 健稔
埼玉大学工業部情報システム工学科
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三島 健稔
埼玉大学
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上竹 主税
浪江日立化成
-
中島 利治
埼玉県さきたま資料館
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左光 大和
新日鉄製鉄(株)
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土田 良彦
住友化学株式会社筑波研究所
著作論文
- STI-CMP性能に及ぼすウェーハエッジ形状の影響 : FEM解析を用いたウェーハ面圧分布計算による考察(機械要素,潤滑,設計,生産加工,生産システムなど)
- Cu配線材の電気化学的ポリシング法の基礎的研究(3)
- シリコンウェーハ製造研磨におけるウェーハエッジ形状の影響評価
- 半導体デバイスと平坦化加工技術の動向と今後の展開(半導体デバイスの平坦化技術)
- 高圧マイクロジェット(HPMJ)を用いたCMPパッドコンディショニング法の開発 : 酸化膜ILDの連続CMPにおける研磨特性とパッド表面状態の評価
- 21413 シリコンウェーバ製造時の研磨におけるウェーハエッジ形状の影響(CMP,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
- 427 極座標型ロボットによる非球面研磨の基礎検討(OS12 研削・砥粒加工)
- 第1回環太平洋プラナリゼーションCMPとその応用技術に関する国際会議2004
- 超LSIデバイスウエハのプラナリゼーションCMP技術( 専門委員会・分科会研究レビュー) : プラナリゼーション加工/CMP応用技術専門委員会
- プラナリゼーション/CMPとその応用
- 4H-SiC(0001)面の高能率研削
- 高圧マイクロジェットの洗浄力に関する研究 : 粒子挙動解析と洗浄実験による考察
- 超高圧マイクロジェットによる半導体CMPパッドの洗浄・コンディショニング技術
- 豊かな人間性と創造力を養うものづくり教育に関する研究(第六報) : 間題解決能力を養う技術科カリキュラムの改善と教材開発
- 高圧マイクロジェット(HPMJ)を用いたCMPパッドコンディショニングに関する研究 : 蛍光スラリーを利用したパッド溝内のスラリー残渣の洗浄性確認
- 半導体プロセスにおけるCMP技術と適用材料の最新動向
- 豊かな人間性と創造力を養うものづくり教育に関する研究(第5報)「生活する力」を育てる技術科カリキュラムの検討
- 高圧マイクロジェットを用いたCMPパッドコンディショニング技術
- 新しい高圧マイクロジェット洗浄技術の提案とその装置化 : ポリッシングパッドのコンディショニングへの適用
- 平坦化CMPにおけるナノトポグラフィとその低減を目指すマイクロモーション機構導入の両面同時ポリシング装置
- 加工雰囲気を制御したベルジャー型ポリシング(CAP)装置とそのCMP特性
- プラナリゼーション CMP とアメリカにおけるその最新動向
- 金属アルコキシドを用いた湿式化学法によるCdTe膜の形成と特性評価
- リン酸含有系スラリーによるCu-CMP特性
- 新しいベルジャー型CMP装置(第二報) : ベルジャー内の雰囲気ガスによるCu-CMP特性と加工メカニズム
- 半導体プロセスにおけるプラナリゼーションCMP技術
- 問題解決能力を養う技術科カリキュラムの設計及びロボット教材の再検討
- 新しいベルジャー型CMP装置(第1報):ベルジャー型CMP法の提案と基本的CMP特性
- 金属Cuの鏡面研磨加工(5):LSIデバイス電極材料のCu膜のCMPおよびCuヌル非球面ミラーのポリシングの基礎検討
- 問題解決能力を養う技術科教材の開発と中学校における実践及び学習評価方法
- 半導体産業の進展経緯に関する考察(第1報):半導体産業の現状と今後の動向分析
- 小片工具による研磨のシミュレーション:熟練技能者を想定した研磨操作運動
- 多軸研磨ヘッドを用いた非球面研磨
- アルミニウム合金のスーパースムーズ鏡面研磨(2)
- プラナリゼーションCMP用固定砥粒型パッドの試作とその加工特性
- フッ素樹脂を用いた平坦化CMP用パッドの試作とその加工特性
- ULSI基板のプラナリゼーションCMPに関する研究(第3報)形状溝によるスラリー層の流体挙動に関する基礎的考察
- アルミニウム合金のスーパースムーズ鏡面研磨
- 多軸ポリシャヘッドの試作
- 超LSIデバイスウェハーの平坦化CMPに関する研究
- 金属Cuの鏡面研磨加工(4) : LSIデバイス電極材料のCu膜のCMPおよびCuヌル非球面ミラーのポリシングに基礎検討
- 問題解決能力を養う技術科教材と開発と中学校における実践
- LEGO MINDSTORMSを教材としたメカトロニクスを学ぶ授業の開発(2) : 学習評価方法の検討
- 鉄系材料の回転バレル研磨による鏡面加工
- 炭化ケイ素セラミックスのELID鏡面研削特性
- 水素イオン活量に支配されない分散剤レス高純度CMPスラリーの製造技術
- CMPスラリーのインラインにおける均一希釈技術と装置
- 微細気泡を含有しない分散剤レス高純度CMPスラリーの製造技術
- プラナリゼーション・ポリシング/CMPの基礎的検討 : 硬質パッドへのダイヤモンド砥粒の適応を可能とする均一微粒子化並びに固定に関する技術
- 酸化膜のCMP特性-添加物フリーのスラリー作製-
- 分散材を使用しないCMPスラリーの製造技術, 及びそのスラリーの精密分粒とそのコントロール技術
- LEGO MINDSTORMSを教材としたメカトロニクスを学ぶ授業の開発
- モノづくり教育に関わる教材開発
- 超精密研磨/CMP技術とその最新動向(その2)最新のCMP技術とトライボケミカル応用 (特集 微細加工技術とトライボロジー)
- 7 創造性の構造に関する基礎的研究
- 3431 学術としての「創造工学」に関する体系化の研究 (2)
- 3430 学術としての「創造工学」に関する体系化の研究 (1)
- スターリングエンジンの軽量設計とその試作
- 磨製出土品における砥粒加工技術--翡翠を用いた勾玉とその製作工程 (特集 伝統工芸品に息づく砥粒加工技術)
- S1101-3-4 歯車の歯当たりとかみ合い評価法について : 可展円筒歯車歯面の図式展開について(伝動装置の基礎と応用セッション3)
- 先端技術教育用スターリングエンジン飛行機の設計と製作
- 小型高出力スターリングエンジンの駆動機構に関する研究・試作
- 光学・電子部品用のガラス研磨用酸化セリウム砥粒の低減研磨法と代替砥粒の提案 (特集 オプトメカトロニクス部品にかかわる希少金属とその削減技術)
- 差動トランス(LVDT)を応用した終点検出機構の特性-2step Cu CMPへの適用-
- CMP研磨特性の考察 : エアーフロート型ヘッドにおけるウェーハの挙動
- ELIDを援用した固定砥粒による非球面X線ミラーのポリシングに関する研究
- 超硬合金のELID鏡面研削切断特性
- GSOのELID研削加工特性
- 509 窒化アルミのELIDラップ研削加工特性(機械工作・生産工学)
- H24 フュームドシリカスラリーによる層間絶縁膜CMPにおける粗大砥粒とマイクロスクラッチの関係 : マイクロスクラッチ観察法の検討について(H2 加工(CMP-2))
- H23 密閉型CMPシステムによるCu-CMPとその加工モデルの提案(H2 加工(CMP-2))
- プラナリゼーションCMP技術に関わる最近の動向 (特集 砥粒(研削・研磨)加工技術)
- 埼玉(さきたま)古墳からの出土品(金錯銘鉄剣)の再現加工に関する研究
- H14 有機EL材料の噴霧とその平坦化に関する検討(H1 加工(CMP-1))
- 超高圧マイクロジェットを用いたパッドドレッシングに関する研究
- 新しい超高圧ジェットを用いたパッドドレッシング技術
- 酸化膜プラナリゼーションシ・ポリシング/CMPの基礎的検討-ダイレクトエアー加圧法とパッドの効果-
- メタル膜CMPの終端検出
- デバイスウェハの表面基準研磨加工
- 21106 電解複合CMPにおける加工レートと電解液充填率との関係(プロセス技術,OS.3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体,MEMS,NEMS))
- 永久磁石を用いた磁気変速機の研究開発--磁気連結のための諸理論と基礎実験器の試作
- 金属Cuの鏡面研磨加工(2) : LSIデバイス電極材料のCu膜のCMPおよびCuヌル非球面ミラーのポリシングの基礎検討
- CVD-SiC膜のスーパースムーズポリシング(4)
- 古代技術の再現実験 その3 : 古代青銅鏡製作技術(モノづくりの原点を探る-生産原論への道)
- 超精密研磨/CMP技術とその最新動向(その1)研磨の発展経緯と加工原理 (特集 微細加工技術とトライボロジー)
- H22 加工環境コントロールによるシリコンの加工に関する研究(H2 加工(CMP-2))
- 金属Cuの鏡面研磨加工(1) : LSIデバイス電極材料のCu膜のCMPおよびCuヌル非球面ミラーのポリシングの基礎検討
- 川砂や焼却炭灰を用いた研磨剤について : 研磨加工における環境保全・省エネルギー・省資源について(1)
- CVD-SiC膜のスーパースムーズポリシング(3)
- CVD-SiC 膜のスーパースムーズポリシング(2)
- ポリシングによるガラス内在欠陥の検出
- 新しいドラム式ポリシング装置の開発 : ツインドラム式装置の試作
- 古代の玉類加工技術に関する一検討
- 低誘電率SOG膜のプラナリゼーションポリシング/CMPの検討
- ウェハの保持方法とプラナリゼーションポリシング特性
- アルミニウムのプラナリゼーションポリシング用スラリーの検討
- 新しい線接触形ポリシング法の開発(第2報) -シミュレーションによる加工形状解析-
- 配線メタルのプラナリゼーションポリシング用スラリーの一検討
- 磨製出土品の再現加工実験に関する考察(第1報) -勾玉の古式法による砥粒加工実験-
- 酸化物結晶の超精密ポリシング(第1報) -MgO単結晶の加工特性-
- 新しい線接触形ポリシング法の研究(第1報) -基本概念と装置の原理試作-
- X線ミラー材のELID研削特性
- ELIDラップ研削盤ヒカリオンによる両面研削特性
- 次世代ULSIとその理想的製作技術を目指す : プラナリゼーション・ポリシング/CMP技術(精密工学の最前線)
- 教科書から一歩進んだ身近な製品の化学 化学機械研磨(CMP)と研磨剤
- これまでの研磨加工の研究の反省と今後の展開 : 研磨加工における環境保全・省エネルギー・省資源について(2)
- Cu配線材の電気化学的ポリシング法の基礎的研究(2)
- Cu配線材の電気化学的ポリシングの基礎的研究
- 魔鏡とその製作原理に関する基礎検討 : 隠れキリシタンの魔鏡とその製作・研究
- SiC単結晶のCMP プロセス改善に関する一検討
- SiC単結晶の研磨における研磨ダメージの低減に関する検討
- タングステンCMPにおけるスラリーの再生に関する基礎的研究
- プラナリゼーションCMP技術に関する研究--アリゾナ大学との共同研究
- ILDのCMPにおけるパッド溝形状の効果
- タングステンCMPにおけるスラリーの再生に関する基礎的研究
- 最適に回収されたスラリーを用いたタングステンCMPの評価
- SiC単結晶の研磨加工技術に関する基礎研究
- 半導体基板の平滑化加工技術 (特集 表面処理技術の展望)
- CMP特性に及ぼすパッド溝断面の傾斜角の影響
- CMPにおける高圧マイクロジェットによる不織布系パッドの非破壊コンディショニング
- セラミックス材料のELIDラップ研削特性
- 硬脆材料のELID研削特性 第一報:加工時間と加工特性
- 超精密研磨/CMP技術とその最新動向(その2) : 最新のCMP技術とトライボケミカル応用
- 超精密研磨/CMP技術とその最新動向(その1) : 研磨の発展経緯と加工原理
- 磨製出土品における砥粒加工技術 : 翡翠を用いた勾玉とその製作工程
- 化学機械研磨(CMP)と研磨剤
- 酸化セリウムとその代替を目指す酸化マンガン系スラリーによるガラス基板の研磨特性とその加工メカニズム
- CMP装置 (超LSI製造・試験装置ガイドブック 2004年版) -- (製造装置編)
- 教育研究の高度化を目指す大学キャンパスの再開発構想(精密工学の最前線)
- 化学機械研磨(CMP)と研磨剤(教科書から一歩進んだ身近な製品の化学)
- 20306 ECMPの研磨圧力依存性シミュレーション(OS3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS)(2),オーガナイズドセッション)
- 315 加工環境制御型密閉式両面CMP装置の設計試作とその加工特性(GS 生産加工II)
- 320 CMP用パッドのコンディショニング特性の定量的評価法とその考察(GS 生産加工III)
- 317 CMP用フュームドシリカスラリー調整条件とスクラッチ欠陥発生との相関関係(GS 生産加工III)
- 316 密閉型CMPシステムによる二酸化炭素を利用したCu-CMP(GS 生産加工II)
- 314 スプレーコーティングによる平坦有機薄膜の製造に関する研究(GS 生産加工II)
- 310 Si単結晶の各種結晶方位面のCMP加工特性とPoly-Si基板の超精密平坦化CMPの検討(GS 生産加工I)
- 308 SiC基板の精密加工/CMPプロセスへの酸化マンガン系スラリーの適用(GS 生産加工I)
- 114 ダイレクトドライブCNC座標測定機の開発(GS 潤滑I)
- 小径穴加工のポイント (特集 現場で役立つ! 穴加工の基礎のきそ)
- 加工環境コントロール型CMP装置によるガラス基板の研磨特性 : CeOスラリー使用量の低減を指向した加工雰囲気の効果
- CMP用スラリーのリサイクルとそのインパクト (特集 砥粒・研磨剤・砥石のリサイクル技術)
- ベルジャー型研磨装置による高能率ガラス研磨技術と難加工材料への応用 (特集 先端部品のための高付価値研磨・切断加工技術)
- 半導体デバイスプロセスにおける超精密CMP技術の動向 (特集 最新の研磨加工と計測技術)
- 研磨パッドにおける各種溝パターンがスラリーフローに及ぼす影響
- OS1-3 マイクロ歯車のかみ合いとその精度計測のための微小径ロータリエンコーダの開発(OS1-I・A1 機械要素の強度評価と性能向上・加工)
- K35 密閉耐圧チヤンバー型両面同時CMP装置の開発 : 各種加工雰囲気下でのsiおよびsicウエハのcMP特性と光触媒援用cMPの可能性について(K3 CMPII)
- K21 酸化マンガン系スラリーを用いたSic単結晶基板の精密加工プロセスに関する研究(K2CMPI)
- K23 加工環境を制御したCMP装置によるsicウエハの高能率加工に関する研究 : コロイダルシリカとダイヤモンド微粒子スラリーを用いた加工特性(K2CMPI)
- K32 ニオブ酸リチウム単結晶基板の研磨加工技術 : 加工特性に及ぼす砥粒径および砥粒濃度の影響(K3 CMPII)
- K33 複合単結晶材料基板の超精密平坦化加工プロセス技術(K3 CMPII)
- H36 円筒歯車の同一歯溝および異なる歯溝の歯元・歯底形状多断面測定評価(H3歯車)
- K25 CMPに及ぼすパッドコンディショニングの影響(K2CMPI)
- 104 SSP-MUSIC法をベースとした小型マイクロホンアレーシステムによる騒音源の空間的位置同定に関する研究(セッション1 画像応用・可視化)
- H14 CNC座標測定機の開発と校正に用いるデータ取得点配置の影響(H1加工I(加工・計測))