土肥 俊郎 | 九大
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概要
関連著者
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土肥 俊郎
九大
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黒河 周平
九大
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土肥 俊郎
九州大学大学院
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土肥 俊郎
埼玉大学教育学部
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黒河 周平
九州大学大学院工学研究院
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松川 洋二
九大
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梅崎 洋二
九大
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梅崎 洋二
九州大学工学部
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梅崎 洋二
九州大学
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大西 修
九大
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土肥 俊郎
九州大学大学院工学研究院
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山崎 努
九大
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黒河 周平
九大 大学院工学研究院
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河野 博之
トクヤマ
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越山 勇
(財)越山科学技術振興財団
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戸次 淳
九大院
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北村 圭
九大院
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尹 涛
九大院
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宮地 計二
旭サナック(株)
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鬼鞍 宏猷
九州大学工学部
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小林 義典
旭サナック
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伊藤 吉彦
九大院
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大木 洋太
九大院
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木原 丈晴
九大院
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栗塚 和昌
九大院
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長谷川 正
九大
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田口 哲也
大坂精密機械株式会社
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佐島 隆生
九大
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土田 良彦
住友化学株式会社
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吉浦 慎一
九大院
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佐藤 行一
住友化学(株)
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城戸 博充
九州大学
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宮地 計二
旭サナック (株)
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長谷川 正
九大院
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田口 哲也
大阪精密機械
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鬼鞍 宏猷
九大
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文 晟敏
九大研究生
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城戸 博充
九大院
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岡田 達樹
九大学
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吉浦 慎一
九大
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小林 義典
旭サナック(株)
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市川 浩一郎
不二越機械工業(株)
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石丸 良平
久留米高専
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神山 三枝
帝人ファイバー(株)繊維技術開発部基礎技術研究課
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甲木 昭雄
九大工
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有浦 泰常
九大
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河野 博之
(株)トクヤマ化学技術研究所
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神山 三枝
帝人ファイバー(株)
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土田 良彦
住友化学株式会社筑波研究所
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下田 裕介
九大院
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奥永 剛
九大院
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佐島 隆夫
九州大
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岸井 貞浩
富士通研究所
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田淵 大介
九州大学
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山崎 努
九州大学大学院工学研究院
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河野 博之
九大
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北村 圭
九州大学
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長谷川 正
九州大学
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山口 智士
九大
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門村 和徳
株式会社アライドダイヤモンド
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土田 良彦
住友化学(株)
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新谷 尚史
信越化学工業株式会社
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河瀬 康弘
三菱化学株式会社
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赤間 太郎
九州大学
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三浦 崇寛
九大
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佐藤 剛
九大院
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山口 智士
九州大
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尹 涛
九大
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越山 勇
財越山科学技術振興財団
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古賀 慎二
九大院
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岩橋 孝典
九大院
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村田 昌彦
九大
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田淵 大介
九大
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與島 健司
九大院
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甲木 昭雄
九大
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MD. HazratAli
IIUM
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岩元 真一
九大工
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Alexandre Berjaud
IFMA
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西 裕徳
九大院
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北村 圭
九大
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門村 和徳
株式会社アライドマテリアル
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稲森 太
宇部興産株式会社
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北 清二郎
九大院
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岸井 貞浩
富士通研究所・九大院
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赤間 太郎
九大院
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市川 浩一郎
不二越機械工業株
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河瀬 康弘
三菱化学
著作論文
- S1101-3-4 歯車の歯当たりとかみ合い評価法について : 可展円筒歯車歯面の図式展開について(伝動装置の基礎と応用セッション3)
- H21 Cu基板の電解複合CMP(E-CMP)に関する研究 : 電解セル形成不織布パッドと導電性パッドの加工レート(H2 加工(CMP-2))
- H24 フュームドシリカスラリーによる層間絶縁膜CMPにおける粗大砥粒とマイクロスクラッチの関係 : マイクロスクラッチ観察法の検討について(H2 加工(CMP-2))
- H23 密閉型CMPシステムによるCu-CMPとその加工モデルの提案(H2 加工(CMP-2))
- H14 有機EL材料の噴霧とその平坦化に関する検討(H1 加工(CMP-1))
- H22 加工環境コントロールによるシリコンの加工に関する研究(H2 加工(CMP-2))
- 3122 歯車偏心と端面振れを考慮したかみ合い伝達誤差解析(S34-1 伝動装置の基礎と応用(1) 歯車の伝達誤差と振動,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
- 2208 かみ合い伝達誤差における大きな振幅変調指数の可能性(歯車の設計・性能評価,一般講演)
- H45 高強度球状黒鉛鋳鉄歯車の面圧強さに関する基礎研究 : 面圧強さに及ぼす銅の影響(H4 機素潤滑設計2)
- H44 偏心歯車のかみ合い伝達誤差における振幅変調量の実験的同定(H4 機素潤滑設計2)
- 317 CMP用フュームドシリカスラリー調整条件とスクラッチ欠陥発生との相関関係(GS 生産加工III)
- 316 密閉型CMPシステムによる二酸化炭素を利用したCu-CMP(GS 生産加工II)
- 314 スプレーコーティングによる平坦有機薄膜の製造に関する研究(GS 生産加工II)
- 310 Si単結晶の各種結晶方位面のCMP加工特性とPoly-Si基板の超精密平坦化CMPの検討(GS 生産加工I)
- K35 密閉耐圧チヤンバー型両面同時CMP装置の開発 : 各種加工雰囲気下でのsiおよびsicウエハのcMP特性と光触媒援用cMPの可能性について(K3 CMPII)
- K21 酸化マンガン系スラリーを用いたSic単結晶基板の精密加工プロセスに関する研究(K2CMPI)
- K23 加工環境を制御したCMP装置によるsicウエハの高能率加工に関する研究 : コロイダルシリカとダイヤモンド微粒子スラリーを用いた加工特性(K2CMPI)
- K32 ニオブ酸リチウム単結晶基板の研磨加工技術 : 加工特性に及ぼす砥粒径および砥粒濃度の影響(K3 CMPII)
- K41 アルミニウム合金のE-CMPにおける加工条件が表面状態に与える影響(K4 CMPIII)
- K34 脱真空・スプレー/ナノインプリント融合プロセス技術による有機EL薄膜の超精密製膜技術(第一報)(K3 CMPII)
- H16 深穴のオンマシン形状精度測定 : 内径変化対応(H1加工I(加工・計測))
- H11 粒径5-10μmのマイクロNi-Wダイヤモンド電着工具の製作およびその工具寿命(H1加工I(加工・計測))
- H23 マイクロエンドミルを用いた高品位加工を実現するための各種パラメータの調査(H2加工II)
- K33 複合単結晶材料基板の超精密平坦化加工プロセス技術(K3 CMPII)
- H36 円筒歯車の同一歯溝および異なる歯溝の歯元・歯底形状多断面測定評価(H3歯車)
- K25 CMPに及ぼすパッドコンディショニングの影響(K2CMPI)
- H14 CNC座標測定機の開発と校正に用いるデータ取得点配置の影響(H1加工I(加工・計測))