大西 修 | 九大
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概要
関連著者
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黒河 周平
九大
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土肥 俊郎
九大
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大西 修
九大
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土肥 俊郎
埼玉大学教育学部
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土肥 俊郎
九州大学大学院
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山崎 努
九大
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尹 涛
九大院
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松川 洋二
九大
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鬼鞍 宏猷
九州大学工学部
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北村 圭
九大院
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長谷川 正
九大院
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鬼鞍 宏猷
九大
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市川 浩一郎
不二越機械工業(株)
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梅崎 洋二
九大
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小林 義典
旭サナック
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長谷川 正
九大
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越山 勇
(財)越山科学技術振興財団
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佐島 隆生
九大
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岸井 貞浩
富士通研究所
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田淵 大介
九州大学
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吉浦 慎一
九大院
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門村 和徳
株式会社アライドダイヤモンド
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佐藤 行一
住友化学(株)
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河瀬 康弘
三菱化学株式会社
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赤間 太郎
九州大学
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三浦 崇寛
九大
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尹 涛
九大
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越山 勇
財越山科学技術振興財団
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古賀 慎二
九大院
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岩橋 孝典
九大院
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村田 昌彦
九大
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田淵 大介
九大
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與島 健司
九大院
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西 裕徳
九大院
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北村 圭
九大
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門村 和徳
株式会社アライドマテリアル
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稲森 太
宇部興産株式会社
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北 清二郎
九大院
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岸井 貞浩
富士通研究所・九大院
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赤間 太郎
九大院
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市川 浩一郎
不二越機械工業株
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吉浦 慎一
九大
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河瀬 康弘
三菱化学
著作論文
- K35 密閉耐圧チヤンバー型両面同時CMP装置の開発 : 各種加工雰囲気下でのsiおよびsicウエハのcMP特性と光触媒援用cMPの可能性について(K3 CMPII)
- K21 酸化マンガン系スラリーを用いたSic単結晶基板の精密加工プロセスに関する研究(K2CMPI)
- K23 加工環境を制御したCMP装置によるsicウエハの高能率加工に関する研究 : コロイダルシリカとダイヤモンド微粒子スラリーを用いた加工特性(K2CMPI)
- K32 ニオブ酸リチウム単結晶基板の研磨加工技術 : 加工特性に及ぼす砥粒径および砥粒濃度の影響(K3 CMPII)
- K41 アルミニウム合金のE-CMPにおける加工条件が表面状態に与える影響(K4 CMPIII)
- K34 脱真空・スプレー/ナノインプリント融合プロセス技術による有機EL薄膜の超精密製膜技術(第一報)(K3 CMPII)
- H11 粒径5-10μmのマイクロNi-Wダイヤモンド電着工具の製作およびその工具寿命(H1加工I(加工・計測))
- H23 マイクロエンドミルを用いた高品位加工を実現するための各種パラメータの調査(H2加工II)
- K33 複合単結晶材料基板の超精密平坦化加工プロセス技術(K3 CMPII)
- K25 CMPに及ぼすパッドコンディショニングの影響(K2CMPI)